導讀：當?shù)貢r間3月8日，ASML通過官網(wǎng)發(fā)布正式聲明，首次證實先進DUV設備已經(jīng)被納入出口管制范圍。

圖：ASML官網(wǎng)聲明

芯片大師近期報道了分析：對華出口管制有哪些“重大漏洞”可以利用？，文中提及ASML的先進DUV產(chǎn)品線NXT:2000系列（尤其是2022年發(fā)布的最新NXT:2100i）可能是拜登政府接下來對華禁售的重點機型之一，一語成讖。

ASML的聲明中提及，（本次出口限制）重要的是要考慮到額外的出口管制并不適用于所有浸沒式光刻工具，而僅適用于所謂的“最先進”工具。盡管 ASML 尚未收到有關“最先進”確切定義的任何其他信息，但 ASML將其解釋為“關鍵浸沒”，ASML將其定義為TWINSCAN NXT:2000i和后續(xù)浸沒系統(tǒng)。

圖：ASML的DUV次旗艦NXT:2000i

一般來說，ArF浸沒式光刻機可用于7nm至38nm節(jié)點的曝光應用，修改后的型號是最先進可支持7nm工藝曝光的DUV系統(tǒng)。此外，而干式ArF系統(tǒng)可以滿足65nm及以上成熟工藝的曝光需求。

而本次提及的ASML已經(jīng)大規(guī)模量產(chǎn)的DUV次旗艦NXT:2000i正是滿足38nm以下非先進節(jié)點需求的型號，也被認為是晶圓廠可以借助非EUV突破至7nm邏輯工藝的核心設備。

2020年底，中芯國際聯(lián)席CEO梁孟松稱，中芯國際的28nm、14nm、12nm及N+1等技術均已進入規(guī)模量產(chǎn)，7nm技術的開發(fā)也已經(jīng)完成，2021年進入風險量產(chǎn)。隨后有媒體報道，少量客戶拿到其量產(chǎn)的7nm芯片，可能采用先進DUV系統(tǒng)來完成，但未獲證實。

圖：存儲主控、MCU等已使用40nm節(jié)點

如今來看，西方對華先進邏輯和存儲器的光刻設備限制已經(jīng)蔓延至非先進制程。

理論上，如果接下來管制繼續(xù)擴大至全部DUV系統(tǒng)，中國大陸的晶圓廠將失去三大DUV系統(tǒng)——KrF、dry ArF和ArFi的支持，可能不得不退回到40/45nm一代。

那么這個影響面就極為廣泛，不僅在此范圍內的汽車/消費級SoC、CIS、存儲器、AI芯片和FPGA等無法在本土擴產(chǎn)，甚至將來40nm以下的高端MCU也無法量產(chǎn)。