研調(diào)機(jī)構(gòu)集邦科技（TrendForce）最新報(bào)告示警，受庫(kù)存問題、旺季拉貨效應(yīng)未發(fā)酵、車用與工控芯片不再短缺、德儀與英飛凌等大廠削價(jià)／砍單，及整合元件廠（IDM）自有新產(chǎn)能開出等五大利空沖擊，晶圓代工成熟制程市況不妙，部分業(yè)者本季與下季恐面臨產(chǎn)能利用率五成保衛(wèi)戰(zhàn)。

針對(duì)研究機(jī)構(gòu)預(yù)測(cè)的議題，臺(tái)積電、世界先進(jìn)昨（4）日均表示對(duì)此無評(píng)論。臺(tái)積電強(qiáng)調(diào)，對(duì)市場(chǎng)需求的看法與展望，將以10月19日法說會(huì)公布內(nèi)容為準(zhǔn)，目前無訊息可提供。

聯(lián)電則表示，目前維持先前法說會(huì)上釋出觀點(diǎn)，預(yù)期第3季整體產(chǎn)能利用率落在64%至66%，8吋廠會(huì)高于平均值，12吋則低于平均值。力積電則抱持不同看法，認(rèn)為現(xiàn)在產(chǎn)業(yè)已筑底成形，當(dāng)前來看不少應(yīng)用陸續(xù)回溫，該公司產(chǎn)能利用率將上揚(yáng)。

集邦在昨天發(fā)布的最新報(bào)告指出，由于半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)復(fù)蘇腳步緩慢，IC設(shè)計(jì)廠與IDM廠新增產(chǎn)能及庫(kù)存去化問題延續(xù)，下半年8吋晶圓廠產(chǎn)能利用率持續(xù)下探、估僅50 %至60%，無論一線、二線或三線業(yè)者，表現(xiàn)均較上半年差。

就整體市況發(fā)展，集邦說明，原本需求較穩(wěn)健的日、歐系IDM廠于第3季進(jìn)入庫(kù)存修正周期，恐使8吋廠產(chǎn)能利用率復(fù)蘇時(shí)間再度遞延。據(jù)悉，德國(guó)半導(dǎo)體大廠英飛凌近期基于庫(kù)存過高考量，著手向聯(lián)電、世界先進(jìn)等委外代工廠砍單，沖擊世界先進(jìn)第4季8吋廠產(chǎn)能利用率持續(xù)下滑，低迷的態(tài)勢(shì)恐延續(xù)到明年第1季。

另外，集邦點(diǎn)出，模擬IC大廠德儀在電源管理芯片報(bào)價(jià)展開積極策略，也正因其身為模擬IC龍頭與規(guī)模經(jīng)濟(jì)，導(dǎo)致臺(tái)積電與世界先進(jìn)的IC設(shè)計(jì)客戶都受影響。

集邦指出，就各家業(yè)者來看，大陸中芯國(guó)際與華虹集團(tuán)8吋廠產(chǎn)能利用率平均表現(xiàn)較臺(tái)、韓業(yè)者略高，主要是大陸晶圓代工讓價(jià)態(tài)度與幅度較積極，以及大陸官方推動(dòng)IC國(guó)產(chǎn)替代、本土化生產(chǎn)趨勢(shì)有關(guān)。

然而，盡管2023下半年各大晶圓代工廠都祭出讓價(jià)措施，但客戶普遍仍保守看待市況，備貨謹(jǐn)慎，加上沒有急單挹注，故此波降價(jià)對(duì)今年下半年的8吋廠產(chǎn)能利用率幫助有限。

集邦研判，晶圓代工成熟制程產(chǎn)能利用率要到明年下半年才會(huì)緩步回升，相較臺(tái)、韓業(yè)者，中芯國(guó)際、華虹集團(tuán)8吋廠產(chǎn)能利用率復(fù)蘇狀況將較產(chǎn)業(yè)平均快，2024年8吋廠平均產(chǎn)能利用率預(yù)估約60%至70%，仍難回到過往滿載水準(zhǔn)。

晶圓代工廠多元布局 等待需求復(fù)蘇

臺(tái)積電、世界、聯(lián)電、力積電等晶圓代工廠在成熟制程需求疲弱度小月之際，相關(guān)廠商積極推進(jìn)技術(shù)進(jìn)程，并布局車用和第三類半導(dǎo)體利基市場(chǎng)，持續(xù)強(qiáng)化競(jìng)爭(zhēng)力，待景氣好轉(zhuǎn)，將能在第一時(shí)間取得先機(jī)。

臺(tái)積電在成熟制程鎖定特殊制程發(fā)展，8吋并非主力制程。業(yè)界觀察，臺(tái)積電8吋廠提供BCD特殊技術(shù)仍有競(jìng)爭(zhēng)優(yōu)勢(shì)。

世界先進(jìn)也在去年底宣布，8吋0.35微米650 V的新基底高電壓氮化鎵制程（GaN-on-QST）已于客戶端完成首批產(chǎn)品系統(tǒng)及可靠性驗(yàn)證，進(jìn)入量產(chǎn)，為特殊集成電路制造服務(wù)領(lǐng)域首家量產(chǎn)此技術(shù)的公司。

世界指出，上述布局多時(shí)的氮化鎵（GaN）業(yè)務(wù)，今年邁入收割期。世界董事長(zhǎng)方略認(rèn)為，整體氮化鎵業(yè)務(wù)將可貢獻(xiàn)今年全年?duì)I收約低個(gè)位數(shù)百分比。

聯(lián)電搶攻電動(dòng)車迅速普及商機(jī)，預(yù)期在車商致力尋求提高動(dòng)力總成效率之余，也需要顧及電動(dòng)車的成本效益，其中，絕緣閘極雙極性晶體管（IGBT）是逆變器開關(guān)的核心元件，負(fù)責(zé)將電池直流電轉(zhuǎn)換為交流電，以驅(qū)動(dòng)和控制電動(dòng)車電動(dòng)機(jī)，看好電池和充電式電動(dòng)車比傳統(tǒng)汽車需要更多IGBT。

聯(lián)電并對(duì)外廣結(jié)盟，獲得成效。今年第2季旗下日本子公司USJC與日商DENSO合作生產(chǎn)的IGBT，已在USJC的12吋晶圓廠進(jìn)入量產(chǎn)，后續(xù)在市場(chǎng)趨勢(shì)起飛時(shí)，產(chǎn)能有望跟著放量。

力積電搶食AI大餅，正開發(fā)高速運(yùn)算芯片所需的存儲(chǔ)器晶圓堆棧技術(shù)，客戶非常感興趣。

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