SK海力士目標3年內(nèi)市值翻倍,一季度將變更DRAM減產(chǎn)計劃!
1月10日消息,據(jù)路透社等外媒報道,SK海力士在CES 2024展會期間舉辦了“Memory,the Power of AI”新聞發(fā)布會。SK海力士社長兼CEO Kwak Noh-Jung表示,受益于AI需求,SK海力士市值可能將會在3年內(nèi)翻倍,即從目前的100萬億韓元市值增長至200萬億韓元。
雖然SK海力士在2023年也面臨著整個存儲芯片市場下滑、價格下跌的窘境,但是得益于AI芯片熱潮所帶來的HBM(高帶寬內(nèi)存)需求的大漲,推動SK海力士市值在去年12月躍居韓國第二大、僅次于競爭對手三星電子。
人工智能時代存儲器的發(fā)展方向應該是以最快的速度、最有效的方式、更大的容量處理數(shù)據(jù)。這與過去一個世紀的存儲器發(fā)展相一致,存儲器的密度、速度和帶寬都得到了提高。
目前在生成式AI領域的HBM市場份額及技術(shù)研發(fā)上,SK海力士居于領先地位,英偉達、AMD都是其客戶。Kwak Noh-Jung表示,“能供應HBM的企業(yè)只有3家(SK海力士、三星、美光)。我能肯定的是、我們在這個領域上是明顯的領先者。”
“我們?yōu)槭袌龊托袠I(yè)提供超高性能的多樣化產(chǎn)品,例如全球最優(yōu)秀、最受追捧的產(chǎn)品HBM3和HBM3E、業(yè)界最大容量的服務器存儲器TSV DIMM、全球最快的移動存儲器LPDDR5 Turbo,以及性能一流的服務器DIMM。未來,我們將在現(xiàn)有產(chǎn)品陣容的基礎上,提供聚焦帶寬的HBM4和HBM4E、功率改良的LPCAMM、容量擴展的CXL和QLC存儲,以及具有計算能力的PIM,磨練我們在人工智能時代的技術(shù)領先地位?!?span style="box-sizing: border-box !important; margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; letter-spacing: 0.578px; overflow-wrap: break-word !important;">Kwak Noh-Jung進一步介紹稱。
Kwak Noh-Jung還表示,存儲在AI時代發(fā)揮著關鍵作用,SK海力士計劃推出“定制存儲平臺”,以隨著客戶對多樣化存儲產(chǎn)品的需求不斷增長而提供定制的AI存儲解決方案?!?span style="box-sizing: border-box !important; margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; font-size: var(--articleFontsize); letter-spacing: 0.034em; overflow-wrap: break-word !important;">我們將把我們的存儲器專業(yè)技術(shù)和研發(fā)專業(yè)知識引入人工智能系統(tǒng),以實現(xiàn)與客戶需求的最佳融合。該平臺將超越傳統(tǒng)方式,提供全新的價值主張,為每位客戶提供最適合其需求的存儲器解決方案?!?/span>
目前,SK海力士正在準備占地超過415萬平方米的新存儲器制造基地,投資額超過120萬億韓元(927億美元)。 如此巨大的產(chǎn)能將使SK海力士能夠繼續(xù)為現(xiàn)有客戶提供服務并及時交付產(chǎn)品,來應對人工智能存儲器需求的爆炸性增長。
去年,為了應對存儲芯片市場需求下滑,包括SK海力士等上游的存儲芯片大廠都實施了減產(chǎn)措施,隨著去年四季度存儲芯片市場的回暖,SK海力士是否有考慮調(diào)整減產(chǎn)計劃呢?
對此,Kwak Noh-Jung回應稱,“有可能會在Q1(2024年1-3月)變更DRAM的減產(chǎn)計劃,而NAND Flash也可能會在上半年以后采取相同的措施(變更減產(chǎn)計劃)”。
“DRAM已出現(xiàn)復蘇跡象、不過NAND Flash復蘇速度較慢?!?span style="box-sizing: border-box !important; margin: 0px; padding: 0px; border: 0px; outline: 0px; max-width: 100%; letter-spacing: 0.578px; overflow-wrap: break-word !important;">Kwak Noh-Jung說道。
編輯:芯智訊-浪客劍
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