·結合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元

·第一季度收入創(chuàng)同期歷史新高，營業(yè)利潤創(chuàng)同期歷史第二高

·由于eSSD銷量增加及價格上升，NAND閃存成功實現(xiàn)扭虧為盈

·“憑借面向AI的存儲器頂尖競爭力，將持續(xù)改善公司業(yè)績”

2024年4月25日，SK海力士發(fā)布截至2024年3月31日的2024財年第一季度財務報告。公司2024財年第一季度結合并收入為12.4296萬億韓元，營業(yè)利潤為2.886萬億韓元，凈利潤為1.917萬億韓元。2024財年第一季度營業(yè)利潤率為23%，凈利潤率為15%。

公司的2024年第一季度收入創(chuàng)歷史同期新高，營業(yè)利潤也創(chuàng)下了市況最佳的2018年以來同期第二高，公司將其視為擺脫了長時間的低迷期，開始轉向了全面復蘇期。

SK海力士表示：“憑借HBM等面向AI的存儲器技術領導力，公司提升了面向AI服務器的產(chǎn)品銷量，同時持續(xù)實施以盈利為主的經(jīng)營活動，從而實現(xiàn)了營業(yè)利潤環(huán)比增長734%的業(yè)績?！惫具€強調：“就NAND閃存而言，隨著高端eSSD產(chǎn)品的銷售比重提升，而且平均售價（ASP，Average Selling Price）也有所上升，成功實現(xiàn)扭虧為盈，其對公司具有重要意義?！?/p>

公司展望未來，面向AI的存儲器需求正在不斷增長，普通DRAM產(chǎn)品需求也將從下半年起有所恢復，因此今年半導體存儲器市場將呈現(xiàn)穩(wěn)定的增長趨勢。業(yè)界預測，因為HBM等高端產(chǎn)品與普通DRAM產(chǎn)品相比需要利用更大的產(chǎn)能（Capacity），隨著高端產(chǎn)品為主的產(chǎn)量增加，通用DRAM產(chǎn)品供應將會相對減少，于是供應商和客戶端的庫存將會耗盡。

順應面向AI的存儲器需求增長的這一趨勢，SK海力士決定加大于今年3月全球率先開始生產(chǎn)的HBM3E產(chǎn)品供應，并拓展其產(chǎn)品的客戶群。同時，公司將在今年內推出第五代10納米級（1b）32Gb DDR5 DRAM產(chǎn)品，以加強面向服務器的高容量DRAM產(chǎn)品的市場領導力。

就NAND閃存，SK海力士為了維持業(yè)績改善的趨勢，將推進產(chǎn)品優(yōu)化。以公司具有較強競爭力的高性能16組通道eSSD產(chǎn)品、子公司Solidigm的四層單元（QLC*）高容量eSSD產(chǎn)品為中心著重提高產(chǎn)品銷售。同時，公司還將通過適時推出用于AI PC的第五代 PCIe cSSD，并以最佳產(chǎn)品線應對市場需求。

此外，SK海力士將為擴大產(chǎn)能適時進行投資。公司于本月24日已宣布，決定將韓國清州的M15X廠定為DRAM生產(chǎn)基地并加速建設。并且也將順利推進龍仁半導體集群和美國印第安納州先進封裝工廠等中長期投資項目。

據(jù)此，今年投資規(guī)模與年初的原計劃相比會有所提升。公司對此解釋道，此次加大投資是根據(jù)客戶需求的增長趨勢而決定，HBM和普通DRAM的供應也將根據(jù)市場需求逐漸提升。公司期待在此過程中，全球半導體存儲器市場得以穩(wěn)部增長的同時，公司也能夠確保更高投資效率和財務穩(wěn)健性。

SK海力士財務擔當副社長（CFO）金祐賢表示：“憑借HBM等適于AI的存儲器技術領先優(yōu)勢，公司業(yè)績開始全面回升。今后，公司也將及時供應最高性能的產(chǎn)品，并繼續(xù)維持以盈利為主經(jīng)營，不斷改善公司業(yè)績。”

* 四層存儲單元（QLC）：NAND閃存憑借數(shù)據(jù)存儲方式，可分為每個單元可存儲1位數(shù)據(jù)的單層存儲單元（SLC，Single Level Cell），存儲2位數(shù)據(jù)的多層存儲單元（MLC，Multi Level Cell），存儲3位數(shù)據(jù)的三層存儲單元（TLC，Triple Level Cell），存儲4位數(shù)據(jù)的四層存儲單元（QLC，Quadruple Level Cell）。與具有相同單元數(shù)量的SLC相比，QLC可存儲多達4倍的數(shù)據(jù)，因此容易實現(xiàn)高容量存儲，而且生產(chǎn)成本效率高。