HBM3營收增長5倍!SK海力士2023年第四季扭虧為盈
1月25日,韓國存儲芯片大廠SK海力士發(fā)布了截至2023年12月31日的2023年第四季及2023年全年財報。
其中,第四季營收同比增長47%至11.3055萬億韓元,高于分析師預(yù)期的10.4萬億韓元;毛利潤為2.23億韓元,同比大增9404%,毛利潤率為20%,為連續(xù)第三個季度回升;營業(yè)利潤為3460億韓元(約合人民幣18.54以元),好于分析師預(yù)期的虧損1699.1億韓元,營業(yè)利潤率為3%;凈虧損為1.3795萬億韓元(約合人民幣73.94億元),優(yōu)于分析師預(yù)期的虧損0.41萬億韓元,但較前一季度虧損大幅縮窄,凈虧損率為12%。EBITDA(稅息折舊及攤銷前利潤)為3.58億韓元,同比增長99%。
SK海力士指出,隨著存儲芯片市場需求的反彈,2023年第四季的營業(yè)利潤達到了3460億韓元,成功實現(xiàn)單季扭虧為盈,這代表著SK海力士僅花費一年時間,就成功擺脫了從2022年第四季以來一直持續(xù)的營業(yè)虧損情況。
SK海力士強調(diào),2023年第四季用于AI服務(wù)器和移動端的產(chǎn)品需求成長,使得平均售價(ASP)上升,讓存儲市場環(huán)境有所改善。與此同時,SK海力士持續(xù)實施以獲利為主的經(jīng)營計劃發(fā)揮了效果。
從2023年全年業(yè)績來看,SK海力士累計2023年合并營收為32.7657萬億韓元,營業(yè)虧損為7.7303萬億韓元,凈虧損為9.1375萬億韓元。整體來說,2023年營業(yè)虧損率為24%,凈虧損率為28%。
SK海力士表示,2023年在DRAM方面,公司以引領(lǐng)市場的技術(shù)實力積極應(yīng)對了客戶需求,公司主力產(chǎn)品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別成長4倍和5倍以上。另外,對于市場需求復(fù)蘇相對緩慢的NAND Flash閃存市場,經(jīng)營計劃主要集中于投資和費用的效率化。
為了順應(yīng)高性能DRAM需求的成長趨勢,SK海力士繼續(xù)推進用于AI的內(nèi)存芯片HBM3E的量產(chǎn)和HBM4的研發(fā),同時將DDR5 DRAM和LPDDR5T DRAM等高性能、高容量產(chǎn)品及時供應(yīng)于服務(wù)器和移動端市場。而且,公司為了應(yīng)對持續(xù)成長的AI服務(wù)器需求和邊緣AI運算應(yīng)用普及,將為準(zhǔn)備高容量服務(wù)器模塊MCRDIMM和移動端模塊LPCAMM2竭盡全力發(fā)展,由此持續(xù)保持技術(shù)領(lǐng)先優(yōu)勢。在NAND Flash閃存方面,SK海力士則是決定通過以eSSD等高階產(chǎn)品為主擴大銷售,改善獲利,并加強內(nèi)部管理。
展望2024年,SK海力士預(yù)計2024年資本開支將較上年增加,今年將把資本開支的增幅最小化。
SK海力士預(yù)計,2024年一季度DRAM BIT環(huán)比增速將位于10%-20%區(qū)間的中部,NAND BIG環(huán)比增速將位于0%-10%區(qū)間的中部,NAND BIT環(huán)比增速將位于0%-10%區(qū)間的中部。
SK海力士強調(diào),2024年的經(jīng)營策略將會與2023年一樣,以高附加值產(chǎn)品為主擴大生產(chǎn),維持提升獲利能力和效率的政策,同時達成資本支出的最小化,注重于業(yè)務(wù)的穩(wěn)定運營。
SK海力士財務(wù)擔(dān)當(dāng)副社長(CFO)金佑賢表示,盡管市場長期低迷,但公司鞏固了在用于AI的內(nèi)存等技術(shù)領(lǐng)域的領(lǐng)先地位,并在2023年第四季達成轉(zhuǎn)虧為盈,業(yè)績開始全面反彈。面對新的飛躍時期,公司將引領(lǐng)變革,并提供為客戶客制化的解決方案,成長為整合AI內(nèi)存提供者。
編輯:芯智訊-林子
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