本周，全球領(lǐng)先的半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML公司發(fā)布了其最新一代極紫外線(EUV)光刻設(shè)備Twinscan NXE:3800E，該工具投影透鏡擁有0.33的數(shù)值孔徑。這款全新系統(tǒng)相比現(xiàn)有的Twinscan NXE:3600D機(jī)器在性能上有著顯著的提升，旨在滿足未來(lái)幾年對(duì)于尖端技術(shù)芯片的制造需求，包括3nm、2nm等小尺寸節(jié)點(diǎn)。

ASML的Twinscan NXE:3800E代表了低數(shù)值孔徑(EUV)光刻技術(shù)在性能和機(jī)械覆蓋層匹配方面的巨大飛躍。新系統(tǒng)可以在30 mJ/cm^2的劑量下每小時(shí)處理超過(guò)195片晶圓，并通過(guò)吞吐量升級(jí)承諾進(jìn)一步提升至220片晶圓每小時(shí)。此外，新設(shè)備提供了小于1.1納米的機(jī)器覆蓋層，進(jìn)一步提升了晶圓對(duì)準(zhǔn)精度。

ASML在一份聲明中指出：“芯片制造商對(duì)速度有著迫切需求。第一臺(tái)Twinscan NXE:3800E目前正在一家芯片工廠安裝。憑借其新的晶圓階段，該系統(tǒng)將為制造先進(jìn)芯片提供領(lǐng)先的生產(chǎn)力。我們致力于將光刻技術(shù)推向新的極限。”

Twinscan NXE:3800E的增強(qiáng)性能將提高其在為邏輯制造商生產(chǎn)4nm/5nm和3nm級(jí)工藝技術(shù)芯片時(shí)的經(jīng)濟(jì)效率。這一改進(jìn)有望顯著緩解EUV技術(shù)的主要缺點(diǎn)，從而實(shí)現(xiàn)更高效和更具成本效益的芯片生產(chǎn)。這將使得芯片設(shè)計(jì)師更容易獲得依賴EUV的工藝技術(shù)，而不會(huì)因?yàn)槌杀締?wèn)題而受到限制。

然而，像NXE:3800E這樣的光刻工具復(fù)雜且功能強(qiáng)大，每臺(tái)的價(jià)格約為1.8億美元。這意味著降低這些工具的成本還需要一定的時(shí)間。但對(duì)于ASML的客戶，包括一些重要的邏輯和內(nèi)存制造公司，NXE:3800E提供了一個(gè)有效的路徑，以提高他們尖端芯片的生產(chǎn)能力。這對(duì)于這些公司來(lái)說(shuō)至關(guān)重要，因?yàn)樗麄冋谂M足全球?qū)Π雽?dǎo)體日益增長(zhǎng)的需求，擴(kuò)大生產(chǎn)能力，并保持芯片制造的經(jīng)濟(jì)效益。引入更先進(jìn)、更高效的EUV掃描儀，如NXE:3800E，對(duì)于實(shí)現(xiàn)這些目標(biāo)至關(guān)重要。

未來(lái)展望，ASML并未止步于現(xiàn)有的成就，計(jì)劃進(jìn)一步創(chuàng)新推出Twinscan NXE:4000F，這是另一代低數(shù)值孔徑(EUV)掃描儀，預(yù)計(jì)將于2026年左右發(fā)布。盡管即將推出高數(shù)值孔徑的光刻工具，ASML仍致力于推動(dòng)低數(shù)值孔徑(EUV)制造技術(shù)的不斷發(fā)展。