5月16日消息，此前英特爾已宣布完成了業(yè)界首臺(tái)商用的高數(shù)值孔徑（High NA）EUV光刻機(jī)的組裝工作，并且有消息顯示英特爾已經(jīng)包下了ASML今年全部的High NA EUV光刻機(jī)的產(chǎn)能，但是相比之下，臺(tái)積電卻對于應(yīng)用High NA EUV光刻機(jī)并不積極，其最新公布的A16（1.6nm）制程并不會(huì)采用該設(shè)備。

近日臺(tái)積電業(yè)務(wù)開發(fā)資深副總經(jīng)理張曉強(qiáng)表示，雖然對High NA EUV能力印象深刻，但設(shè)備價(jià)格過高（超過3億歐元），因此臺(tái)積電將使用目前的常規(guī)EUV設(shè)備再延續(xù)幾年技術(shù)，包括A16制程。

張曉強(qiáng)指出，臺(tái)積電現(xiàn)有EUV能力可支持芯片生產(chǎn)到2026年底，屆時(shí)A16制程技術(shù)將根據(jù)目前路線圖推出。

據(jù)介紹，A16將結(jié)合臺(tái)積電的超級電軌（Super PowerRail）構(gòu)架與納米片晶體管，預(yù)計(jì)于2026年量產(chǎn)。相較于N2P制程，A16在相同Vdd（工作電壓）下，速度增快8-10%，在相同速度下，功耗降低15-20%，芯片密度提升高達(dá)1.10倍，以支持?jǐn)?shù)據(jù)中心產(chǎn)品。

而英特爾為了實(shí)現(xiàn)在制程工藝上領(lǐng)先臺(tái)積電目標(biāo)，正非常積極的嘗試最新的High NA EUV光刻機(jī)，預(yù)期將會(huì)被用于Intel 14A制程的量產(chǎn)。而預(yù)計(jì)在2025年商用的Intel 18A仍將繼續(xù)采用常規(guī)的Low NA EUV光刻機(jī)，以達(dá)到最佳的制程技術(shù)平衡與成本效益。

英特爾表示，High-NA EUV可減少掩膜數(shù)量，提高分辨率并簡化芯片制造制程。掩膜包含芯片設(shè)計(jì)，舊款機(jī)器需要依賴更多掩膜，來產(chǎn)生更高分辨率的芯片。

編輯：芯智訊-浪客劍