6月18日消息，日本化工大廠三井化學日前宣布，將開始量產(chǎn)EUV光罩保護膜（pellicles），可支持ASML將推出的下一代擁有超過600W光源功率的EUV光刻機。為此，三井化學計劃在日本山口縣巖國大竹工廠內(nèi)設置生產(chǎn)線，計劃年產(chǎn)能為5000張，生產(chǎn)線預計于2025年12月完工。

據(jù)了解，光罩保護膜是一種薄膜，可保護光罩表面免受空氣中微分子或污染物的影響，這對于 5nm或以下節(jié)點制程的先進制程技術的良率表現(xiàn)至關重要。另外，光罩保護膜也是一種需要定期更換的消耗品，而由于 EUV光刻設備的光源波長較短，因此針對EUV的保護膜需要較薄的厚度來增加透光率。目前光罩保護膜主要供應商是荷蘭ASML，日本三井化學、信越化學，韓國S&S Tech、FST等。

三井化學的光罩保護膜業(yè)務來自于2022年5月27日對于旭化成的半導體和LCD制造工藝中光掩膜薄膜業(yè)務的收購，收購價格約74億日元（約人民幣3.83億元）。

值得注意的是，2023年12月，三井化學與比利時微電子研究中心（imec）共同宣布，為了推動針對EUV光刻的碳納米管（CNT）光罩保護膜技術商業(yè)化，雙方正式建立策略伙伴關系。

△imec展示的CNT薄膜

imec強調(diào)，雙方的戰(zhàn)略伙伴關系旨在共同開發(fā)曝光薄膜及EUV光罩保護膜，其中將由imec提供技術咨詢與EUV光刻機測試，三井化學進行商用生產(chǎn)。這些光罩護膜被設計用來保護光罩在EUV曝光時免受污染，不僅具備很高的EUV穿透率（≧94%）和極低的EUV反射率，對曝光的影響也能控制到最小，這些都是要讓先進半導體制造達到高良率和高產(chǎn)量所需的關鍵性能。這些碳納米管（CNT）光罩保護膜甚至還能承受超過1kW等級的極紫外光（EUV）輸出功率，有助于發(fā)展新一代（高于600W）的極紫外光源技術。將在量產(chǎn)導入EUV光刻技術的廠商對這些性能產(chǎn)生濃厚興趣。因此，此次合作的雙方將攜手開發(fā)可供商用的碳納米管（CNT）光罩保護膜技術，以滿足市場需求。

imec進一步指出，在此光刻技術發(fā)展藍圖下，新型光罩保護膜預計于2025~2026年推出，屆時ASML開發(fā)的新一代0.33數(shù)值孔徑（NA）EUV光刻系統(tǒng)也將能支持輸出功率超過600W的曝光源。

編輯：芯智訊-浪客劍