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          300億半導(dǎo)體芯片項目進(jìn)入收尾階段

          發(fā)布人:芯股嬸 時間:2024-08-30 來源:工程師 發(fā)布文章

          據(jù)《重慶新聞聯(lián)播》近日報道,總投資約300億元的三安意法半導(dǎo)體項目已進(jìn)入收尾階段,襯底廠預(yù)計本月投產(chǎn),比原計劃提前2個月。

          據(jù)悉,重慶三安意法半導(dǎo)體項目由重慶三安半導(dǎo)體和安意法半導(dǎo)體共同開展建設(shè),項目分為芯片廠和襯底廠兩部分,包括一家專業(yè)從事碳化硅外延、芯片、研發(fā)、制造、銷售的車規(guī)級功率芯片制造企業(yè),以及為其提供碳化硅襯底的材料供應(yīng)商。

          其中,“襯底廠”重慶三安半導(dǎo)體由三安光電全資子公司湖南三安半導(dǎo)體于2023年7月全資成立,注冊資本18億元,項目預(yù)計投資70億元,專業(yè)從事碳化硅晶圓生長、襯底制造,規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅襯底48萬片。

          “芯片廠”安意法由湖南三安半導(dǎo)體(51%)和意法半導(dǎo)體(中國)投資有限公司(49%)于2023年8月共同出資設(shè)立,注冊資本6.12億美元。項目總投資32億美元(約合人民幣228億元),規(guī)劃達(dá)產(chǎn)年生產(chǎn)能力為8英寸碳化硅車規(guī)級MOSFET功率芯片48萬片,預(yù)計營收將達(dá)139億元。

          襯底廠則由三安光電利用自有碳化硅襯底工藝,通過全資子公司湖南三安半導(dǎo)體在重慶設(shè)立全資子公司重慶三安半導(dǎo)體配套建設(shè),項目總投資約70億元規(guī)劃生產(chǎn)8英寸碳化硅襯底48萬片/年。

          據(jù)“三安光電”披露,目前重慶三安意法項目正處于設(shè)備進(jìn)場安裝調(diào)試的關(guān)鍵階段,襯底廠預(yù)計8月底將實現(xiàn)點亮通線,安意法預(yù)計11月底將整體通線。

          事實上,當(dāng)前在新能源汽車、5G通訊、可再生能源等市場的強勁需求帶動下,尤其是隨著新能源汽車產(chǎn)業(yè)的迅速發(fā)展,碳化硅市場規(guī)模也迎來爆發(fā)式增長。2023年整體SiC功率元件市場產(chǎn)值達(dá)22.8億美元,年成長41.4%,而主流應(yīng)用則是倚重電動汽車及可再生能源。

          全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢表示,作為未來電力電子技術(shù)的重要發(fā)展方向,SiC在汽車、可再生能源等功率密度和效率極其重要的應(yīng)用市場中仍然呈現(xiàn)加速滲透之勢,未來幾年整體市場需求將維持增長態(tài)勢。集邦咨詢預(yù)測,2028年全球SiC功率器件市場規(guī)模有望達(dá)到91.7億美元。


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