消息稱三星電子確認平澤 P4 工廠 1c nm DRAM 內存產線投資，目標明年 6 月投運
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IT之家 8 月 12 日消息，韓媒 ETNews 報道稱，三星電子內部已確認在平澤 P4 工廠建設 1c nm DRAM 內存產線的投資計劃，該產線目標明年 6 月投入運營。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/202408/461917.htm平澤 P4 是一座綜合性半導體生產中心，分為四期。在早前規(guī)劃中，一期為 NAND 閃存，二期為邏輯代工，三期、四期為 DRAM 內存。三星已在 P4 一期導入 DRAM 生產設備，但擱置了二期建設。
而 1c nm DRAM 是第六代 20~10 nm 級內存工藝，各家的 1c nm（或對應的 1γ nm）產品目前均尚未正式發(fā)布。韓媒在報道中稱，三星電子計劃在今年底啟動 1c nm 內存生產。
▲ 三星平澤廠區(qū)
根據(jù)IT之家此前報道，三星電子考慮在明年下半年推出的 HBM4 內存上使用 1c nm DRAM 裸片，以更先進的 DRAM 制程提升 HBM4 產品的能效競爭力，追趕 HBM 領域領先者 SK 海力士。
考慮到 HBM 內存對 DRAM 晶圓的消耗量遠高于傳統(tǒng)內存，平澤 P4 建設 1c nm DRAM 產線也是在為可能的 HBM4 生產需求做好準備。
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