這兩天不少網(wǎng)友都在熱議工信部披露的新款國產(chǎn)氟化氬光刻機的消息，一時間，各種關(guān)于國產(chǎn)光刻機大突破言論滿天飛，甚至還有人一看到“套刻≤8nm”就認為這是8nm光刻機，也是令人啼笑皆非。

其實，早在6月20日，工信部就曾發(fā)布了《首臺（套）重大技術(shù)裝備推廣應(yīng)用指導目錄（2024年版）》公示，集成電路生產(chǎn)設(shè)備一欄當中，就有公示一款氟化氪光刻機和一款氟化氬光刻機。隨后在9月9日，工信部又將該通知重發(fā)了一遍：

氟化氪光刻機其實就是老式的248nm光源的KrF光刻機，分辨率為≤110nm，套刻精度≤25nm；氟化氬光刻機則是193nm光源的ArF光刻機（也被稱為DUV光刻機），但披露的這款依然是干式DUV光刻機，而非更先進的浸沒式DUV光刻機（也被稱為ArFi光刻機）。

從官方披露的參數(shù)來看，該DUV光刻機分辨率為≤65nm，套刻精度≤8nm。雖然相比之前上微的SSA600光刻機有所提升（分辨率為90nm），但是仍并未達到可以生產(chǎn)28nm芯片的程度，更達不到制造什么8nm、7nm芯片的程度。很多網(wǎng)友直接把套刻精度跟光刻制造制程節(jié)點水平給搞混了。

光刻精度主要看的是光刻機的分辨率，65nm的分辨率，那么單次曝光能夠達到的工藝制程節(jié)點大概就在65nm左右。

套刻精度則指的是每一層光刻層之間的對準精度。眾所周知，芯片的制造過程，實際上是將很多層的光刻圖案一層一層的實現(xiàn)，并堆堆疊而成。一層圖案光刻完成后，需要再在上面繼續(xù)進行下一層圖案的光刻，而兩層之間需要精準對準，這個對準的精度就是套刻精度，并不是指能夠制造的芯片的工藝制程節(jié)點。

那么，這個65nm的光刻分辨率、套刻精度≤8nm，能夠做到多少納米制程呢？又相當于目前ASML什么水平的光刻機呢？可以對比看下面的ASML光刻機的參數(shù)：

（更多細節(jié)分析，可以訪問此鏈接查看全文：mp.weixin.qq.com/s?__biz=MzA4MTE5OTQxOQ==&mid=2650102133&idx=1&sn=
17aacfa6609299a6df6a7d7a660c1e67&chksm=87995121b0eed8375733262d9e6473229bd920f35f3c4e9b1e3c72946c06be1ec91780120214&payreadticket=HK9dGX615vOYrGxHKXNj0WZ2vmYBO999Pza5Jxhyzodx5FsUqNG_Z9Ap_Aos_x220CFU_8E#rd）

作者：芯智訊-浪客劍