10月25日消息，據(jù)彭博社報(bào)道，臺(tái)積電位于美國(guó)亞利桑那州鳳凰城的第一座晶圓廠(chǎng)早期的生產(chǎn)良率已經(jīng)超過(guò)其位于中國(guó)臺(tái)灣類(lèi)似晶圓廠(chǎng)的水平。這對(duì)于這座最初因缺乏熟練安裝工人導(dǎo)致的量產(chǎn)進(jìn)度延誤的晶圓廠(chǎng)來(lái)說(shuō)是一個(gè)重要突破。

報(bào)道援引一位參加網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)的人士的說(shuō)法，臺(tái)積電美國(guó)部門(mén)總裁瑞克·卡西迪（Rick Cassidy）在本周三的網(wǎng)絡(luò)研討會(huì)上表示，臺(tái)積電亞利桑那州鳳凰城晶圓廠(chǎng)目前的良率水平比臺(tái)灣的類(lèi)似晶圓廠(chǎng)高出了約4個(gè)百分點(diǎn)。眾所周知，良率是半導(dǎo)體行業(yè)的一個(gè)關(guān)鍵指標(biāo)，因?yàn)樗鼪Q定了生產(chǎn)出的芯片的可用性，芯片良率越高，則可以更大程度地?cái)偙≈圃斐杀尽?/p>

值得注意的是，在今年9月，彭博社就曾引述消息人士的話(huà)報(bào)道稱(chēng)，臺(tái)積電位于亞利桑那州的第一座晶圓廠(chǎng)在今年4月就已經(jīng)開(kāi)始基于4nm制程進(jìn)行工程測(cè)試晶圓的生產(chǎn)，其良率已經(jīng)與臺(tái)積電位于中國(guó)臺(tái)灣的南科廠(chǎng)良率相當(dāng)。臺(tái)積電當(dāng)時(shí)也表示，項(xiàng)目照計(jì)劃進(jìn)行，并且進(jìn)展良好。

臺(tái)積電董事長(zhǎng)兼總裁魏哲家近日在三季度業(yè)績(jī)法說(shuō)會(huì)上也表示：“我們的第一座工廠(chǎng)在四月份開(kāi)始使用4納米工藝技術(shù)進(jìn)行工程晶圓生產(chǎn)，結(jié)果非常令人滿(mǎn)意，良率非常好。這是臺(tái)積電及其客戶(hù)的重要運(yùn)營(yíng)里程碑，展示了臺(tái)積電強(qiáng)大的制造能力和執(zhí)行力?！?/p>

對(duì)于最新的關(guān)于臺(tái)積電亞利桑那州晶圓廠(chǎng)良率已經(jīng)超過(guò)臺(tái)灣晶圓廠(chǎng)的說(shuō)法，臺(tái)積電發(fā)言人拒絕發(fā)表評(píng)論。

根據(jù)規(guī)劃，臺(tái)積電將在美國(guó)亞利桑那州鳳凰城建設(shè)三座晶圓廠(chǎng)，其中晶圓一廠(chǎng)（Fab21）是4nm制程晶圓廠(chǎng)，晶圓二廠(chǎng)則是3nm晶圓廠(chǎng)。此前由于缺乏熟練工人等問(wèn)題，導(dǎo)致晶圓一廠(chǎng)的量產(chǎn)時(shí)間從2024年推遲到了2025年，晶圓二廠(chǎng)的量產(chǎn)時(shí)間也由原定的2026年推遲到了2028年。兩座晶圓廠(chǎng)完工后，合計(jì)將年產(chǎn)超過(guò)60萬(wàn)片晶圓，換算至終端產(chǎn)品市場(chǎng)價(jià)值預(yù)估超過(guò)400億美元。此外，臺(tái)積電還將在亞利桑那州建設(shè)第三座晶圓廠(chǎng)，預(yù)計(jì)將在21世紀(jì)20年代底（2029～2030年），采用2nm或更先進(jìn)的制程技術(shù)進(jìn)行芯片生產(chǎn)。

臺(tái)積電這三座晶圓廠(chǎng)的總投資將會(huì)達(dá)到650億美元。為此，美國(guó)政府已經(jīng)承諾將依據(jù)《芯片與科學(xué)法案》為臺(tái)積電提供66億美元補(bǔ)貼，還有25%的稅收抵免，以及50億美元的貸款。

雖然在美國(guó)生產(chǎn)芯片的成本可能要比臺(tái)灣高出50%以上，但是得益于美國(guó)政府的大力推動(dòng)，以及美國(guó)客戶(hù)關(guān)于供應(yīng)鏈安全方面的考慮，蘋(píng)果、英偉達(dá)等公司此前都已表態(tài)將會(huì)在臺(tái)積電美國(guó)晶圓廠(chǎng)生產(chǎn)芯片。

編輯：芯智訊-浪客劍