臺(tái)系DRAM廠為抓準(zhǔn)DRAM價(jià)格復(fù)蘇的時(shí)間點(diǎn)，開始大量增加投片量，其中力晶增產(chǎn)的幅度將居冠，傳出第4季位元成長(zhǎng)率將較第3季明顯大增 30~40%，力晶11月出貨量大幅成長(zhǎng)，也將反映在11月營(yíng)收上，出現(xiàn)大幅度成長(zhǎng);再者，除了DDR2芯片外，力晶也開始增加DDR3芯片產(chǎn)出，臺(tái)廠正緩慢步入DDR2和DDR3交接期。

　　臺(tái)廠2008年底開始進(jìn)入長(zhǎng)達(dá)3季的減產(chǎn)，隨著DRAM價(jià)格在奇夢(mèng)達(dá)(Qimonda)退出市場(chǎng)后，由供過于求逐漸走向供給平衡，因此緩步開始增產(chǎn)，尤其在營(yíng)運(yùn)開始產(chǎn)生現(xiàn)金流入后，增產(chǎn)的速度加快，現(xiàn)在力晶是全產(chǎn)能投片，而華亞科目前單月產(chǎn)能為10 萬片，距離12寸晶圓廠滿載產(chǎn)能13萬片還有一段差距，主要是保留產(chǎn)能作為制程轉(zhuǎn)換之故。

　　南亞科近幾個(gè)月投片量遞減，全力專注轉(zhuǎn)制程到68奈米和50奈米制程，因此產(chǎn)能不如預(yù)期大幅增加，保留實(shí)力到2010年。而這一波存儲(chǔ)器景氣復(fù)蘇，力晶的12寸晶圓廠的增產(chǎn)幅度則最大，居所有臺(tái)廠之冠，由于短期內(nèi)力晶也不會(huì)轉(zhuǎn)進(jìn)50奈米制程，因此致力于加速增產(chǎn)。

　　日前市場(chǎng)傳出，力晶在12寸晶圓廠的產(chǎn)能全開下，第4季位元成長(zhǎng)率將高達(dá)30~40%，11月營(yíng)收也將反映產(chǎn)能增加而大幅度躍升，發(fā)言人譚仲民則表示，的確逐月在回復(fù)投片量當(dāng)中，但實(shí)際第4季位元成長(zhǎng)率，目前無法公布，而目前旗下12寸晶圓廠視滿載投片的狀況。

　　再者，力晶除了增加DDR2芯片投片量之外，也開始轉(zhuǎn)投部分產(chǎn)能到DDR3芯片上，緩步進(jìn)入新舊產(chǎn)品世代交替。整體來看，目前臺(tái)廠的主力產(chǎn)品仍是DDR2芯片，部分產(chǎn)能開始轉(zhuǎn)投DDR3芯片，而國(guó)際大廠DDR3芯片產(chǎn)能比重相對(duì)較高，早一步走入世代交替期。