色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁(yè) > 嵌入式系統(tǒng) > 業(yè)界動(dòng)態(tài) > 英特爾高管:未來(lái)凌動(dòng)芯片能耗將低于ARM

          英特爾高管:未來(lái)凌動(dòng)芯片能耗將低于ARM

          作者: 時(shí)間:2010-08-26 來(lái)源:搜狐IT 收藏

            首席技術(shù)官賈斯汀當(dāng)?shù)貢r(shí)間周二表示,該公司新一代芯片的能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng),未來(lái)產(chǎn)品的能耗將低于后者。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/112082.htm

            賈斯汀在接受采訪時(shí)說(shuō),Moorestown芯片待機(jī)狀態(tài)下能耗將與ARM架構(gòu)芯片相當(dāng),Medfield芯片運(yùn)行狀態(tài)下能耗將于ARM架構(gòu)芯片相當(dāng)。

            賈斯汀表示:“我預(yù)計(jì)此后我們芯片的能耗將低于ARM架構(gòu)芯片,因?yàn)槲覀冇懈镜男阅軆?yōu)勢(shì)。”

            分析師之前曾表示,對(duì)于便攜式消費(fèi)電子產(chǎn)品和手機(jī)而言,平臺(tái)的能耗過(guò)高。電池續(xù)航時(shí)間是手機(jī)產(chǎn)業(yè)最重要的指標(biāo)之一。



          關(guān)鍵詞: 英特爾 凌動(dòng)

          評(píng)論


          相關(guān)推薦

          技術(shù)專(zhuān)區(qū)

          關(guān)閉