上海硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)交易中心

　　MEMS(微電子機(jī)械系統(tǒng))技術(shù)是一種使產(chǎn)品集成化、微型化、智能化的微型機(jī)電系統(tǒng)。在半導(dǎo)體集成電路技術(shù)之上發(fā)展起來(lái)的硅基MEMS制造技術(shù)目前使用十分廣泛。

　　本文以中美兩國(guó)在硅基MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域中的專(zhuān)利態(tài)勢(shì)作為分析對(duì)象，專(zhuān)利數(shù)據(jù)分別源自美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局和國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局網(wǎng)站的公開(kāi)信息。數(shù)據(jù)截止日期為2010年10月25日。主要包括采集年限內(nèi)已獲授權(quán)的美國(guó)專(zhuān)利、已公開(kāi)的美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)以及已公開(kāi)或已授權(quán)的中國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)，對(duì)于已被受理但尚未被公開(kāi)的專(zhuān)利申請(qǐng)不在本文統(tǒng)計(jì)之列。

　　國(guó)外技術(shù)發(fā)展日趨成熟

　　上世紀(jì)80年代，在美國(guó)政府的高度重視下MEMS技術(shù)研發(fā)開(kāi)始起步。1992年“美國(guó)國(guó)家關(guān)鍵技術(shù)計(jì)劃”把“微米級(jí)和納米級(jí)制造”列為“在經(jīng)濟(jì)繁榮和國(guó)防安全兩方面都至關(guān)重要的技術(shù)”。此后美國(guó)國(guó)家自然基金會(huì)(NSF)、美國(guó)國(guó)防部先進(jìn)研究計(jì)劃署(DARPA)等機(jī)構(gòu)先后對(duì)該項(xiàng)目給予了支持。

　　以MEMS術(shù)語(yǔ)以及其他半導(dǎo)體制造領(lǐng)域關(guān)鍵詞進(jìn)行檢索，結(jié)果如圖1。硅基MEMS制造技術(shù)在美國(guó)的專(zhuān)利總數(shù)呈逐年增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)(美國(guó)專(zhuān)利商標(biāo)局專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)據(jù)庫(kù)只提供2001年至今的數(shù)據(jù))。就專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量來(lái)看，從2002年開(kāi)始大幅度增加，從2008年至今發(fā)展平穩(wěn)，表明該技術(shù)趨向成熟，相應(yīng)專(zhuān)利授權(quán)數(shù)量穩(wěn)定在550件以上。

　　由圖2可知，擁有美國(guó)專(zhuān)利申請(qǐng)與授權(quán)專(zhuān)利的國(guó)家(地區(qū))是美國(guó)、日本、韓國(guó)和中國(guó)臺(tái)灣等，美國(guó)權(quán)利人/申請(qǐng)人擁有的授權(quán)專(zhuān)利數(shù)量遠(yuǎn)超其他國(guó)家，具有絕對(duì)優(yōu)勢(shì)。

　　在美國(guó)專(zhuān)利權(quán)利人/申請(qǐng)人排名前10位中有7家美國(guó)企業(yè)，這也充分表明美國(guó)在硅基MEMS制造技術(shù)領(lǐng)域占據(jù)一定優(yōu)勢(shì)。其中，Honeywell擁有的美國(guó)專(zhuān)利最多，且該公司的申請(qǐng)趨勢(shì)還在持續(xù)上揚(yáng)。在授權(quán)專(zhuān)利方面緊隨其后的是英特爾公司，韓國(guó)三星公司，日本索尼公司、富士通公司分列第三、第九、第十位。而在已公開(kāi)專(zhuān)利申請(qǐng)方面排名第二、三位的是三星公司與高通公司。

　　總體上，各個(gè)發(fā)達(dá)國(guó)家都非常重視硅基MEMS制造技術(shù)的研發(fā)。美國(guó)在硅基MEMS制造領(lǐng)域創(chuàng)新全球領(lǐng)先，近十年來(lái)成立了不少的MEMS創(chuàng)新公司，成為美國(guó)MEMS產(chǎn)業(yè)發(fā)展的支撐力量;歐洲MEMS產(chǎn)業(yè)經(jīng)過(guò)相當(dāng)長(zhǎng)一段時(shí)間的累積，形成了一定數(shù)量的專(zhuān)利技術(shù)和成果，同時(shí)將目標(biāo)市場(chǎng)鎖定為汽車(chē)電子領(lǐng)域;日本公司在MEMS相關(guān)領(lǐng)域也有著不錯(cuò)的科技與技術(shù)積累，并且在MEMS基礎(chǔ)研發(fā)上投入相當(dāng)多的資源，頗具實(shí)力。

　　我國(guó)起步不晚發(fā)展較緩

　　我國(guó)MEMS的研究始于20世紀(jì)90年代初，起步并不晚。在“八五”、“九五”期間一直得到了科技部、教育部、中國(guó)科學(xué)院、國(guó)家自然科學(xué)基金委和原國(guó)防科工委的支持。

　　但是總體上國(guó)內(nèi)MEMS制造技術(shù)與國(guó)外存在著較大差距，原因在于MEMS技術(shù)與IC技術(shù)相比在材料、結(jié)構(gòu)、工藝、功能和信號(hào)接口等方面存在諸多差別，往往需要更小的尺寸和較高的精度。

　　硅基MEMS制造技術(shù)在國(guó)內(nèi)的專(zhuān)利公開(kāi)數(shù)量經(jīng)歷了兩次高峰，分別在2005年與2008年，其同比增長(zhǎng)都接近50%。前者的公開(kāi)數(shù)量高峰是由于2003年專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量大幅度增加，具體原因可能是由于2002年國(guó)家863計(jì)劃“微機(jī)電系統(tǒng)重大專(zhuān)項(xiàng)”的適時(shí)啟動(dòng)所致。而2008年的高峰則是由于2006年出現(xiàn)了專(zhuān)利申請(qǐng)數(shù)量的低谷所致。