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          基于SiC的完整“傻瓜型”逆變器參考設(shè)計(jì)為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用鋪平了道路

          • 先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用(如高轉(zhuǎn)速、高頻、高功率密度、高溫等)需要相匹配的逆變器支持,但業(yè)界一直為其開發(fā)難度所困擾。全球領(lǐng)先的高溫半導(dǎo)體解決方案提供商CISSOID公司近期推出的基于碳化硅(SiC)功率器件的完整逆變器參考設(shè)計(jì)很好地解決了這一問題。該參考設(shè)計(jì)整合了CISSOID 公司的SiC高壓功率模塊和相匹配的集成化柵極驅(qū)動(dòng)器,Silicon Mobility公司的控制板和軟件,超低寄生電感的直流母線電容和EMI濾波器,直流和相電流傳感器等其它附件。由此為先進(jìn)電機(jī)應(yīng)用提供了一個(gè)已全面集成的完整“傻瓜型”逆變器開發(fā)平
          • 關(guān)鍵字: SiC  逆變器  電機(jī)  CISSOID  Silicon Mobility  

          CISSOID與Silicon Mobility擴(kuò)大合作伙伴關(guān)系,提供完整的SiC逆變器參考設(shè)計(jì)

          • 2023年3月20日–佛羅里達(dá)州奧蘭多市 - CISSOID和Silicon Mobility今日宣布進(jìn)一步擴(kuò)展其合作伙伴關(guān)系,以提供完整的模塊化碳化硅(SiC)逆變器參考設(shè)計(jì),且支持高達(dá)350KW/850V的電機(jī)驅(qū)動(dòng)。該參考設(shè)計(jì)包括CISSOID基于SiC的高壓功率模塊、集成化柵極驅(qū)動(dòng)器,以及采用Silicon Mobility超快速、安全的OLEA T222 FPCU的控制板,直流和相電流傳感器,直流母線電容器和EMI濾波,以及集成化液體冷卻裝置。CISSOID還將銷售和交付Silicon Mobil
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  Silicon Mobility  SiC逆變器  

          CISSOID、NAC和Advanced Conversion三強(qiáng)聯(lián)手開發(fā)高功率密度碳化硅(SiC)逆變器

          • 高溫半導(dǎo)體和功率模塊領(lǐng)域的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID宣布,公司已與NAC Group和Advanced Conversion(為要求嚴(yán)苛的應(yīng)用提供高性能電容器的領(lǐng)導(dǎo)者)開展合作,以提供緊湊且優(yōu)化集成的三相碳化硅(SiC)功率堆棧。該功率堆棧結(jié)合了CISSOID的1200V SiC智能功率模塊和Advanced Conversion的6組低ESR/ESL直流支撐(DC-Link)電容器,可進(jìn)一步與控制器板和液體冷卻器集成,為電機(jī)驅(qū)動(dòng)器的高功率密度和高效率SiC逆變器(見下圖)的設(shè)計(jì)提供完整的硬件和軟件平臺(tái)。CIS
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  SiC  

          CISSOID與依思普林達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動(dòng)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成

          • 提供基于碳化硅(SiC)和氮化鎵(GaN)的耐高溫、長壽命的高效、緊湊電機(jī)驅(qū)動(dòng)和智能功率模塊解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID S. A.(CISSOID),和中國先進(jìn)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成制造商 - 深圳市依思普林科技有限公司(依思普林)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開展研發(fā)項(xiàng)目,使碳化硅功率器件的優(yōu)良性能在電動(dòng)汽車動(dòng)力總成領(lǐng)域得以充分發(fā)揮,從而實(shí)現(xiàn)電動(dòng)汽車動(dòng)力總成的全面優(yōu)化和深度集成。 電動(dòng)汽車的動(dòng)力總成(包括電機(jī)、電控和變速箱)已走向三合一,但目前的整合僅僅是在結(jié)構(gòu)上的堆疊,尚
          • 關(guān)鍵字: 電動(dòng)汽車  CISSOID  

          CISSOID發(fā)布最新工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅功率模塊高溫柵極驅(qū)動(dòng)器創(chuàng)新成果

          • 中國北京,2019年7月16日–各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID今日宣布,公司將在7月17日 – 20日于北京舉行的“第二屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會(huì)議”上,發(fā)表題為“一種用于工業(yè)和汽車級(jí)碳化硅MOSFET功率模塊的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器”的論文,并介紹公司在該領(lǐng)域的最新研究開發(fā)成果。CISSOID首席技術(shù)官Pierre Delatte將于19日在該會(huì)議上發(fā)表該文章。當(dāng)今,碳化硅(SiC)在汽車制造商的大力追捧下方興未艾,碳化硅技術(shù)可以提供更高的能效和增加功率密度;在工業(yè)應(yīng)用方面,越來越多的人則
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  碳化硅  功率模塊  高溫柵極驅(qū)動(dòng)器  

          CISSOID在紐倫堡PCIM 2019展會(huì)上展出新款高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅器件及功率模塊

          • 比利時(shí)·蒙-圣吉貝爾,2019年5月13日– 各行業(yè)所需高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者CISSOID,在2019年歐洲功率電子及智能傳動(dòng)產(chǎn)品展覽會(huì)(PCIM 2019)上展示了最新的高溫柵極驅(qū)動(dòng)器、碳化硅(SiC)MOSFET器件和IGBT功率模塊。PCIM 2019是全球領(lǐng)先的電力電子、智能傳動(dòng)、可再生能源和能源管理展覽及會(huì)議。CISSOID公司推出了一款新型柵極驅(qū)動(dòng)器板,該板針對(duì)額定溫度為125°C(環(huán)境溫度)的62mm碳化硅MOSFET功率模塊進(jìn)行了優(yōu)化。該板基于CISSOID的HADES柵極驅(qū)動(dòng)器芯片
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  PCIM 2019  MOSFET功率模塊  

          CISSOID和清華大學(xué)電機(jī)系達(dá)成技術(shù)合作意向,共同研發(fā)基于碳化硅功率模塊的系統(tǒng)

          • 比利時(shí)·蒙 - 圣吉貝爾和中國·北京 – 2019年4月8日– 高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID日前宣布:公司已與清華大學(xué)電機(jī)工程與應(yīng)用電子技術(shù)系(簡稱電機(jī)系)達(dá)成技術(shù)合作意向,雙方將攜手研發(fā)基于碳化硅(SiC)功率模塊的系統(tǒng),期望共同攻克技術(shù)難題以求實(shí)現(xiàn)其潛在的高效率和高功率密度等優(yōu)勢,并將大力支持在新能源汽車領(lǐng)域開展廣泛應(yīng)用。CISSOID公司來自比利時(shí),是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,專為極端溫度和惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉(zhuǎn)換與信號(hào)調(diào)節(jié)提供標(biāo)準(zhǔn)產(chǎn)品和定制解決方案。清華大學(xué)電機(jī)系創(chuàng)立
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  清華  電機(jī)系  

          CISSOID和泰科天潤(GPT)達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

          •   高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開展研發(fā)項(xiàng)目,推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用。  CISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議  泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時(shí),是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,專為極端溫
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  SiC  

          CISSOID和泰科天潤(GPT)達(dá)成戰(zhàn)略合作協(xié)議, 攜手推動(dòng)碳化硅功率器件的廣泛應(yīng)用

          •   高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID和中國碳化硅(SiC)功率器件產(chǎn)業(yè)化倡導(dǎo)者泰科天潤半導(dǎo)體科技(北京)有限公司(GPT)今日共同宣布:雙方已達(dá)成戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系,將共同開展研發(fā)項(xiàng)目,推動(dòng)碳化硅功率器件在工業(yè)各領(lǐng)域尤其是新能源汽車領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)廣泛應(yīng)用?! ISSOID和泰科天潤簽署戰(zhàn)略合作協(xié)議  泰科天潤是中國首家第三代半導(dǎo)體材料碳化硅器件制造與應(yīng)用解決方案提供商,既是碳化硅芯片的龍頭企業(yè),也是支撐高端制造業(yè)的新興力量。CISSOID公司來自比利時(shí),是高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者,專為極端溫
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  碳化硅  

          CISSOID為Honeywell將停產(chǎn)高溫微電子產(chǎn)品的客戶提供相應(yīng)替代品

          •   高溫與長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID今日宣布:該公司已準(zhǔn)備好幫助客戶免受Honeywell公司宣布限期最后接單后,即將停產(chǎn)其高溫微電子產(chǎn)品所帶來的影響,同時(shí)發(fā)布了一份CISSOID等效器件部品的型號(hào)互查表,所有的產(chǎn)品額定溫度范圍同樣都為-55°C到225°C,同時(shí)還可以提供裸芯片(bare?die):  也可以通過開發(fā)高溫專用集成電路(ASIC)或者專門的電路板的方式來實(shí)現(xiàn)器件的替代,這得益于CISSOID自有的強(qiáng)大硅知識(shí)產(chǎn)權(quán)(IP)及產(chǎn)品組合,其中包括電壓參考源、調(diào)節(jié)器、放大
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  Honeywell  

          CISSOID 向 Thales 交付首個(gè)碳化硅( SiC )智能功率模塊

          •   高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)先供應(yīng)商CISSOID公司宣布,向 Thales Avionics Electrical Systems 交付首個(gè)三相 1200V/100A SiC MOSFET 智能功率模塊(IPM)原型。該模塊在 Clean Sky Joint Undertaking 項(xiàng)目的支持下開發(fā)而成,通過減小重量和尺寸,該模塊有助于提高功率轉(zhuǎn)換器密度,從而
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  IPM  

          航晶微電子和 CISSOID宣布建立戰(zhàn)略合作伙伴關(guān)系

          •   高溫及長壽命半導(dǎo)體解決方案領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 與中國高溫及極端環(huán)境混合集成電路領(lǐng)導(dǎo)者航晶微電子今日共同宣布,雙方正式簽署戰(zhàn)略合作伙伴協(xié)議,將共同開發(fā)高可靠高溫混合集成電路。  這將結(jié)合 CISSOID 在開發(fā)極端溫度及惡劣環(huán)境下使用的半導(dǎo)體方面 15 年的經(jīng)驗(yàn),以及航晶微電子在開發(fā)復(fù)雜高品質(zhì)高可靠多芯片電路解決方案方面 17 年的經(jīng)驗(yàn)。雙方將通力合作,致力于將成套多芯片集成電路應(yīng)用于新型、復(fù)雜且緊湊的標(biāo)準(zhǔn)多芯片模塊電路
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  集成電路  

          CISSOID 推出 60A /1200V 高溫電源模塊 PLUTO

          •   高溫半導(dǎo)體解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者 CISSOID 公司宣布推出高溫電源模塊CHT-PLUTO,它可在-55~225℃的范圍內(nèi)實(shí)現(xiàn)可靠的運(yùn)行,并輸出高達(dá)60A的電流。CHT-PLUTO 是一種雙碳化硅 MOSFET 模塊,主要應(yīng)用于在低端和高端均可持續(xù)供應(yīng) 30 A 電流的半橋。低端和高端的兩個(gè)獨(dú)立開關(guān)可并聯(lián)使用,輸出總電流為 60 A,擊穿電壓超過 1200 V,當(dāng) VGS=20 V 時(shí),導(dǎo)通電阻在 25℃和 225℃的溫度下分別低至 23 m? 和 50 m?。        由于碳化
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  PLUTO  

          CISSOID 公司推出 HADES v2

          •   CISSOID公司推出第二代 HADES®,一款高度集成的隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器產(chǎn)品。HADES® 旨在面向基于快速開關(guān)碳化硅 (SiC) 晶體管、傳統(tǒng)功率 MOSFET 及 IGBT 的高密度功率轉(zhuǎn)換器、電機(jī)驅(qū)動(dòng)器和致動(dòng)器應(yīng)用。憑借 CISSOID 產(chǎn)品無與倫比的耐用性,柵極驅(qū)動(dòng)器 HADES® 在嚴(yán)酷的環(huán)境下可實(shí)現(xiàn)更高可靠性和更長的使用壽命,從而滿足系統(tǒng)設(shè)計(jì)者對(duì)航空、汽車、工業(yè)、石油和天然氣市場的應(yīng)用需求。   HADES®包括氣密性陶瓷封裝和塑料封裝兩種,前者可以在溫
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  MOSFET   

          CISSOID高溫半導(dǎo)體產(chǎn)品正式進(jìn)軍中國

          •   CISSOID公司在高溫半導(dǎo)體領(lǐng)域投入已久,專為極端溫度與惡劣環(huán)境下的電源管理、功率轉(zhuǎn)換與信號(hào)調(diào)節(jié)提供標(biāo)準(zhǔn)化的產(chǎn)品與定制解決方案,目前,其產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于全球石油和天然氣、航空航天、工業(yè)與汽車市場等領(lǐng)域。   中國市場日趨壯大的工業(yè)、交通、能源等應(yīng)用,以及這些市場煥發(fā)出的強(qiáng)大的創(chuàng)新活力,吸引了CISSOID公司的重視。日前,該公司宣布正式進(jìn)軍中國市場,并與上海諾衛(wèi)卡電子科技有限公司簽訂在華經(jīng)銷協(xié)議。   CISSOID 擁有高溫隔離式柵極驅(qū)動(dòng)器、高壓 SiC MOSFET 開關(guān)等半導(dǎo)體產(chǎn)品與
          • 關(guān)鍵字: CISSOID  半導(dǎo)體  
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