全球第2大DRAM記憶體廠海力士(Hynix)第4季業(yè)績走弱，營運獲利下滑加上淡季效應與產(chǎn)品價格走跌等因素，有鑒于大陸市場潛力巨大，該公司擬加碼大陸資本投資金額，希望借此刺激營收。海力士大陸區(qū)負責人Lee Jae-woo接受Korea Times采訪時表示，公司計劃提高大陸廠制程技術，以生產(chǎn)高階晶片。

　　海力士過去與恒憶半導體(Numonyx)合資在江蘇無錫建廠，近期北京當局已批準海力士提出的收購計劃，同意海力士以4.23億美元，收購恒憶握有的20.7%股份，將無錫廠房轉(zhuǎn)為海力士獨資企業(yè)。

　　Lee指出，江蘇外商投資屬海力士無錫廠規(guī)模最巨，加上大陸當局提供行政協(xié)助，企業(yè)享有租稅優(yōu)惠，無錫廠于投產(chǎn)1年內(nèi)便出現(xiàn)收益，當前該廠每月產(chǎn)能達16萬片12吋晶圓，產(chǎn)能占海力士整體產(chǎn)出約5成，占全球DRAM產(chǎn)能11%左右。

　　當前公司從南韓派出上百名專業(yè)人士，赴無錫廠協(xié)助提升制程技術，以便該廠未來有能力生產(chǎn)高階晶片。無錫廠當前傾注全力，加碼投資，矢志于2011年起開始制造電腦用高階記憶體晶片。

　　該廠將使用44納米制程，加重高階DRAM芯片產(chǎn)出比重，海力士2010年無錫廠投資金額總計將上探7億美元，據(jù)該公司表示，該廠投資額將于2010年底攀升至55億美元。此外海力2011年還會再度提升DRAM納米制程技術。計劃未來3年內(nèi)每年皆將挹注等資金額，進行技術升級。

　　近期面對日本同業(yè)爾必達(Elpida)工布削減產(chǎn)能計劃，Lee有意借機拉大與競爭對手差距。然因當前廠房尚有空間安裝12吋晶圓設備，因此預期2013年前不會在大陸新建廠房。此外海力士與大陸本土企業(yè)無錫產(chǎn)業(yè)集團合資成立海太半導體，為海力士首座后端晶片(Back-EndChip)廠，當前已開始進行封測業(yè)務，每月產(chǎn)能達1億片1GDRAM記憶體晶片。海太廠房鄰近海力士無錫廠，可為海力士帶來物流優(yōu)勢。

　　海力士認為大陸市場重要性攀升，決定采取先發(fā)制人策略，于當?shù)剡M行高階制程技術投資，目前已可見到初期效果。市場預估，2010年全球DRAM需求將有2成源自大陸地區(qū)。