世界領先的低功耗鐵電存儲器(F-RAM)和集成半導體產(chǎn)品開發(fā)商及供應商Ramtron International Corporation(簡稱Ramtron)宣布，現(xiàn)在已經(jīng)可廣泛提供在新IBM公司生產(chǎn)線上制造的首批預驗證鐵電存儲器(F-RAM)樣片。FM24C04C和FM24C16C是位密度分別為4kbit和16kbit的串行5V F-RAM產(chǎn)品，這些器件可為電子系統(tǒng)提供高性能非易失性數(shù)據(jù)采集和儲存解決方案。Ramtron的F-RAM產(chǎn)品具有非易失性RAM存儲性能、無延遲(NoDelay)寫入、高讀/寫耐用性及低功耗特性。

        Ramtron公司首席執(zhí)行官 Eric Balzer稱：“發(fā)布FM24C04C和FM24C16C樣片是Ramtron新代工服務項目的重要里程碑。這些預驗證芯片符合所有數(shù)據(jù)表規(guī)范和公司嚴格質量標準的要求，現(xiàn)在這批樣片可以提供給客戶做產(chǎn)品評測。在測試完成后，我們將會提供其它樣片，包括3V I2C和3V及5V SPI產(chǎn)品。”

        FM24C04C和FM24C16C采用串行I2C接口，工作電流為100µA(100kHz下典型值)，總線運行頻率最高可達1MHz。這些器件適用于工業(yè)控制、計量、醫(yī)療、軍事、游戲和計算應用及其它領域，可作為4和16Kb串行EEPROM存儲器的直接替代產(chǎn)品。FM24C04C和FM24C16C均采用工業(yè)標準8腳SOIC封裝，工作溫度范圍是工業(yè)級的-40°C至+85°C。

        Ramtron公司FM24CxxC產(chǎn)品的單字節(jié)寫入速度比EEPROM快200倍。此外，相比記錄新數(shù)據(jù)之前需要5至10毫秒寫入延遲的EEPROM器件，這些器件具有無延遲特性，能夠以標準總線速度寫入。FM24C04C和FM24C16C具有1萬億個寫入周期，而EEPROM只有100萬個寫入周期。相比同類非易失性存儲器產(chǎn)品，它們具有極低的工作電流。