外電指出，三星電子(Samsung Electronics)執(zhí)行長崔志成(Choi Gee-sung) 25日表示，三星下半年的資本支出也不會減少，且還會高于原先預期，因為公司過去一貫的傳統(tǒng)都不會僅依據(jù)一年的營運展望來擬定投資計畫;這象征在DRAM 產(chǎn)業(yè)價格血流成河，且NAND Flash產(chǎn)業(yè)受到智能型手機、平板計算機等需求不如預期的時刻，三星的產(chǎn)能擴充仍沒有踩煞車的跡象。

　　三星2011年最大的投資為打造Line 16新2寸晶圓廠廠房，預計2011年第3末開始量產(chǎn)，初期會以NAND Flash產(chǎn)品為主，外界預估NAND Flash將是主力，因為三星與東芝(Toshiba)之間的市占率持續(xù)拉近至0.3%，因此新廠的產(chǎn)能對于雙方都很重要。

　　三星在華城Line 12、器興Lien 14和美國奧斯汀廠等廠房合計的NAND Flash產(chǎn)能約35萬片，Line 16新產(chǎn)能加入后，預計可拉大與勁敵東芝之間的市占，不過，東芝與快閃記憶卡大廠新帝(SanDisk)合資的新12寸晶圓廠Fab 5也即將量產(chǎn)，在雙方都拼命擴產(chǎn)之下，未來全球NAND Flash龍頭是否會易主值得觀察。

　　在DRAM方面，雖然目前市場上沒有傳出三星的Line 16有把DRAM產(chǎn)能加進去，但以目前DRAM產(chǎn)業(yè)血流成河的市況來看，即使三星不擴產(chǎn)，同業(yè)都相當辛苦，而新廠量產(chǎn)后，未來可輕易加入DRAM生產(chǎn)行列，對市場而言都要進一步觀察。

　　除了三星堅守2011年的資本支出不減少，且甚至增加外，日前臺系DRAM廠南亞科和華亞科也維持既有資本支出，南亞科為新臺幣120億元，華亞科為新臺幣170億元，未來若加速30納米制程轉(zhuǎn)進，不排除加碼資本支出。