三星電子(Samsung Electronics)與美光(Micron)近日宣布成立「混合內(nèi)存立方體」(Hybrid Memory Cube，HMC)協(xié)會(huì)，以用來開發(fā)與部署此一新一代HMC內(nèi)存技術(shù)的開放接口規(guī)格。

　　根據(jù)雙方的聲明，成立該協(xié)會(huì)的關(guān)鍵因素，也是目前產(chǎn)業(yè)所面臨的主要挑戰(zhàn)之一，即為高效能計(jì)算機(jī)與新一代的網(wǎng)絡(luò)設(shè)備對(duì)內(nèi)存帶寬的需求已超出傳統(tǒng)內(nèi)存架構(gòu)的能力，此一現(xiàn)象稱為「內(nèi)存墻」(memory wall)，因此需要有一可強(qiáng)化密度與帶寬、同時(shí)能降低電力損耗的新架構(gòu)來突破此一困境。

　　所謂的混合內(nèi)存立方體是以堆棧內(nèi)存芯片組態(tài)構(gòu)成微型化的立方體，一個(gè)HMC的效能為DDR3模塊的15倍，每位所使用的電力只有DDR3的30%，由于HMC的密度增加，且外型變小，所使用的空間只有現(xiàn)今Registered DIMM內(nèi)存模塊的10%，使得每臺(tái)機(jī)器將可容納更多的內(nèi)存。

　　該協(xié)會(huì)指出，HMC的能力超越傳統(tǒng)的DRAM，并建立一個(gè)可跟上CPU與GPU進(jìn)展的新內(nèi)存標(biāo)準(zhǔn)，應(yīng)用范圍涵蓋高效能運(yùn)算至消費(fèi)者技術(shù)。

　　美光DRAM營銷副總裁Robert Feurle表示，HMC把內(nèi)存能力提升到一個(gè)新境界，所帶來的效能與效率將重新定義內(nèi)存的未來，該協(xié)會(huì)將盡其所能加速該技術(shù)的采用，以徹底改善運(yùn)算系統(tǒng)。

　　主導(dǎo)HMC開發(fā)的除了三星與美光外，英特爾也曾于今年9月公布與美光合作的HMC概念性技術(shù)。HMC的最終規(guī)格將由該協(xié)會(huì)的成員共同擬定，目前已加入該協(xié)會(huì)的組織包括Altera、OpenSilicon及Xilinx等。HMC協(xié)會(huì)并建議業(yè)者從現(xiàn)有的DDR內(nèi)存架構(gòu)直接轉(zhuǎn)移至HMC。