之前我們?cè)?jīng)提到過(guò)美光開發(fā)的“夾心餅干”內(nèi)存技術(shù)即HMC(Hyper Memory Cube)，該公司還聯(lián)合Intel在IDF 2011舊金山開發(fā)者論壇上展示了相關(guān)樣品。10月6日，美光宣布將和存儲(chǔ)芯片業(yè)界龍頭韓國(guó)三星電子一起研發(fā)HMC這種新的內(nèi)存架構(gòu)，目標(biāo)是盡快使其實(shí)用化，進(jìn)入工業(yè)化生產(chǎn)階段。

　　HMC是采用硅穿孔(TSV，Through Silicon Via)技術(shù)，將多個(gè)芯片堆疊在一起，采用一個(gè)邏輯層控制的新內(nèi)存架構(gòu)方案。可極大提高內(nèi)存帶寬，能耗比效率是目前低電壓版DDR3內(nèi)存的7倍，性能是其15倍之多。

　　而HMC技術(shù)最大的挑戰(zhàn)就是內(nèi)存的實(shí)際封裝問(wèn)題，相信在業(yè)界龍頭Intel、美光、三星的合力攻關(guān)之下一定會(huì)有對(duì)應(yīng)的解決方法。