近日，科技部公布“十二五”國家高技術(shù)研究發(fā)展計(jì)劃(863計(jì)劃)新材料技術(shù)領(lǐng)域“高效半導(dǎo)體照明關(guān)鍵材料技術(shù)研發(fā)”重大項(xiàng)目立項(xiàng)名單，全國共有14項(xiàng)課題獲得立項(xiàng)，其中南昌大學(xué)申報(bào)的“大尺寸Si襯底GaN基LED外延生長、芯片制備及封裝技術(shù)”?課題獲得資助5000多萬元，占該重大專項(xiàng)總金額的21.6%，居14項(xiàng)課題之首。

　　該課題由南昌大學(xué)國家硅基LED工程技術(shù)研究中心副主任、年僅35歲的贛鄱英才人選王立研究員主持。該課題主要任務(wù)是研發(fā)成功更高性價(jià)比的硅襯底LED照明材料與芯片，推出第二代硅襯底LED芯片，推動(dòng)產(chǎn)業(yè)鏈和創(chuàng)新鏈向高端發(fā)展，逐步形成具有國際競爭的戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)。