三菱電機開發(fā)給汽車使用的J系列EV-IPM和EV T-PM，在6月19至21日于上海世博展覽館舉行的PCIM亞洲展 2012中亮相，吸引眾多參觀者的目光，紛紛了解這個高性能、超可靠、低損耗的汽車用功率半導(dǎo)體模塊。

　　受到近幾年環(huán)保意識提高的影響，混合動力汽車和電動汽車等市場不斷擴大。由于對汽車有著很高的安全性要求，因而對用于汽車馬達(dá)驅(qū)動的功率半導(dǎo)體模塊，也要求其具有超出普通工業(yè)用途的可靠性。

　　三菱電機引領(lǐng)業(yè)界之先，于2004年采用以硬質(zhì)樹脂封裝功率半導(dǎo)體硅片的壓注模封裝技術(shù)，生產(chǎn)出可靠性高且無鉛化的汽車用功率半導(dǎo)體模塊。 這次，三菱電機又推出新的汽車用功率半導(dǎo)體模塊J系列EV-IPM和J系列EV T-PM。

　　J系列EV-IPM采用第5代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù)，模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器，雜散電感低。模塊采用自1997年以來已成功量產(chǎn)的先進(jìn)制造工藝，實施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級可追溯性管理，滿足ELV車輛報廢指令。目前開發(fā)的J系列EV-IPM產(chǎn)品的電流電壓等級分別有：300A/600V、600A/600V、150A/1200V和300A/1200V。

　　J系列EV T-PM采用第5代~第6代LPT- CSTBTTM硅片技術(shù)，模塊內(nèi)硅片上集成電流和溫度傳感器。模塊內(nèi)部構(gòu)造不同于以往用鋁電線連接功率半導(dǎo)體硅片和主端子，而是采用DLB構(gòu)造，成功將主端子延長，使之直接與功率半導(dǎo)體硅片焊接。利用DLB構(gòu)造提高了模塊的可靠性。

　　此外，模塊采用2合1壓注膜封裝技術(shù)，使得模塊內(nèi)的配線電阻和電感得到減小，從而降低了模塊的損耗。模塊實施從模塊材料到零件與生產(chǎn)履歷的硅片級可追溯性管理。滿足ELV車輛報廢指令，確保用于汽車的質(zhì)量與產(chǎn)品壽命。目前開發(fā)的J系列EV T-PM產(chǎn)品的電流電壓等級分別有：300A/600V，600A/600V和300A/1200V。