三菱電機 文章 進入三菱電機技術社區(qū)
第10講：SiC的加工工藝（2）柵極絕緣層
- 柵極氧化層可靠性是SiC器件應用的一個關注點。本節(jié)介紹SiC柵極絕緣層加工工藝，重點介紹其與Si的不同之處。SiC可以通過與Si類似的熱氧化過程，在晶圓表面形成優(yōu)質(zhì)的SiO2絕緣膜。這在制造SiC器件方面具有非常大的優(yōu)勢。在平面柵SiC MOSFET中，這種熱氧化形成的SiO2通常被用作柵極絕緣膜，并已實現(xiàn)產(chǎn)品化。然而，SiC的熱氧化與Si的熱氧化存在一些差異，在將熱氧化工藝應用于SiC器件時必須考慮到這一點。首先，與Si相比，SiC的熱氧化速率低。因此，該過程需要很長時間，而且還需要高溫。在SiC的熱氧
- 關鍵字： 三菱電機 SiC 柵極絕緣層
第9講：SiC的加工工藝（1）離子注入
- 離子注入是SiC器件制造的重要工藝之一。通過離子注入，可以實現(xiàn)對n型區(qū)域和p型區(qū)域?qū)щ娦钥刂啤１疚暮喴榻B離子注入工藝及其注意事項。SiC的雜質(zhì)原子擴散系數(shù)非常小，因此無法利用熱擴散工藝制造施主和受主等摻雜原子的器件結(jié)構(gòu)（形成pn結(jié)）。因此，SiC器件的制造采用了基于離子注入工藝的摻雜技術：在SiC中進行離子注入時，對于n型區(qū)域通常使用氮（N）或磷（P），這是容易低電阻化的施主元素，而對于p型區(qū)域則通常使用鋁（Al）作為受主元素。另外，用于Al離子注入的原料通常是固體，要穩(wěn)定地進行高濃度的Al離子注入，需
- 關鍵字： 三菱電機 SiC
更高額定電流的第8代LV100 IGBT模塊
- 摘要本文介紹了為工業(yè)應用設計的第8代1800A/1200V IGBT功率模塊，該功率模塊采用了先進的第8代IGBT和二極管。與傳統(tǒng)功率模塊相比，該模塊采用了分段式柵極溝槽（SDA）結(jié)構(gòu)，并通過可以控制載流子的等離子體層（CPL）結(jié)構(gòu)減少芯片厚度，從而顯著的降低了功率損耗。特別是，在開通dv/dt與傳統(tǒng)模塊相同的情況下，SDA結(jié)構(gòu)可將Eon降低約60%，通過大幅降低功率損耗，模塊可以提高功率密度。通過采用這些技術并擴大芯片面積，第8代1200V IGBT功率模塊在相同的三菱電機LV100封裝中實現(xiàn)了1800
- 關鍵字： 三菱電機 IGBT
第2講：三菱電機SiC器件發(fā)展史
- 三菱電機從事SiC器件開發(fā)和應用研究已有近30年的歷史，從基礎研究、應用研究到批量商業(yè)化，從2英寸、4英寸晶圓到6英寸晶圓，三菱電機一直致力于開發(fā)和應用高性能、高可靠性且高性價比的SiC器件，本篇章帶你了解三菱電機SiC器件發(fā)展史。三菱電機從上世紀90年代已經(jīng)開始啟動SiC相關的研發(fā)工作。最初階段，SiC晶體的品質(zhì)并不理想，適合SiC的器件結(jié)構(gòu)和制造工藝仍處于探索階段，但研發(fā)人員堅信SiC MOSFET是能夠最大限度發(fā)揮SiC材料優(yōu)異物理性能的器件，因此一直致力于相關研發(fā)。三菱電機于2003年開發(fā)出耐壓2
- 關鍵字： 三菱電機 SiC器件
三菱電機將與安世攜手開發(fā)SiC功率半導體
- 11月，日本三菱電機、安世半導體（Nexperia）宣布，將聯(lián)合開發(fā)高效的碳化硅（SiC）MOSFET分立產(chǎn)品功率半導體。雙方將聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。目前芯片供應量尚未確認，預計最早將于2023年內(nèi)開始供應。公開消息顯示，安世半導體總部位于荷蘭，目前是中國聞泰科技的子公司。11月初，安世半導體被迫轉(zhuǎn)手出售其于2021年收購的英國NWF晶圓廠。盡管同屬功率半導體公司，三菱電機與安世半導體的側(cè)重點不同，前者以“多個離散元件組合
- 關鍵字： 三菱電機 安世 SiC 功率半導體
Nexperia與三菱電機就SiC MOSFET分立產(chǎn)品達成戰(zhàn)略合作伙伴關系
- Nexperia近日宣布與三菱電機公司建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)碳化硅(SiC) MOSFET分立產(chǎn)品。Nexperia和三菱電機都是各自行業(yè)領域的領軍企業(yè)，雙方聯(lián)手開發(fā)，將促進SiC寬禁帶半導體的能效和性能提升至新高度，同時滿足對高效分立式功率半導體快速增長的需求。三菱電機的功率半導體產(chǎn)品有助于客戶在汽車、家用電器、工業(yè)設備和牽引電機等眾多領域?qū)崿F(xiàn)大幅節(jié)能。該公司提供的高性能SiC模塊產(chǎn)品性能可靠，在業(yè)界享有盛譽。日本備受贊譽的高速新干線列車采用了這些模塊，并以出色的效率、安全性和可靠性聞名遐邇。N
- 關鍵字： Nexperia 三菱電機 SiC MOSFET
三菱電機和Nexperia合作開發(fā)SiC功率半導體
- 三菱電機將與Nexperia（安世）合力開發(fā)SiC芯片，通過SiC功率模塊來積累相關技術經(jīng)驗。東京--(美國商業(yè)資訊)--三菱電機株式會社(Mitsubishi Electric Corporation，TOKYO: 6503)今天宣布，將與Nexperia B.V.建立戰(zhàn)略合作伙伴關系，共同開發(fā)面向電力電子市場的碳化硅(SiC)功率半導體。三菱電機將利用其寬帶隙半導體技術開發(fā)并提供SiC MOSFET芯片，Nexperia將使用這些芯片開發(fā)SiC分離器件。電動汽車市場正在全球范圍內(nèi)擴大，并有助于推動Si
- 關鍵字： 三菱電機 安世 SiC
Denso和三菱電機10億美元投資Coherent碳化硅業(yè)務
- Denso和三菱電機宣布將分別投資5億美元，入股Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司。據(jù)外媒，日本電裝株式會社(Denso)和三菱電機宣布，將分別投資5億美元，入股美國半導體材料、網(wǎng)絡及激光供應商Coherent的碳化硅（SiC）業(yè)務子公司Silicon Carbide，并分別取得12.5%股權(quán)（兩家日企合計取得25%股權(quán)）。據(jù)悉，Silicon Carbide主要從事SiC晶圓等產(chǎn)品的制造，是于2023年4月從Coherent公司分拆出來設立的SiC業(yè)務子公司。Denso與三菱電機將向該公司采購
- 關鍵字： 三菱電機 Denso 碳化硅
三菱電機和Coherent宣布合作，瞄準8英寸SiC襯底
- 近日，美國激光技術與加工系統(tǒng)供應商Coherent和三菱電機宣布，雙方已簽署一份諒解備忘錄 （MOU）并達成項目合作，將在200毫米技術平臺上擴大SiC電力電子產(chǎn)品的規(guī)?；a(chǎn)。三菱電機宣布在截至2026年3月的五年內(nèi)投資約2600億日元。其中，大約1000億日元將用于建設基于200mm技術平臺的SiC功率器件新工廠，并加強相關生產(chǎn)設備。根據(jù)諒解備忘錄，Coherent將為三菱電機未來在新工廠生產(chǎn)的SiC功率器件開發(fā)200毫米n型4H SiC襯底。資料顯示，Coherent于1966年成立于美國加利福尼亞
- 關鍵字： 三菱電機 Coherent 8英寸 SiC襯底
1800億只 三菱電機成就半導體行業(yè)“專精特新”
- 1800億只，是寧波康強電子股份有限公司沖壓引線框架的年產(chǎn)能。從1992年開始，康強電子深耕半導體封裝材料領域，以技術創(chuàng)新為驅(qū)動，穿越行業(yè)周期，不斷發(fā)展壯大。其三大業(yè)務領域引線框架、鍵合絲與電極絲均為國內(nèi)翹楚，其中引線框架產(chǎn)銷量在國內(nèi)同行中連續(xù)數(shù)年排名第一，全球市場占有率位居前七，榮獲“中國半導體材料十強企業(yè)”“中國電子材料50強企業(yè)”等榮譽稱號。2022年10月，國家級第四批專精特新“小巨人”企業(yè)的認定，不僅堅定了康強電子在這一細分領域的發(fā)展信心，更為三菱電機謀劃未來打開了新的機遇之窗?？蛻敉袋c：精益求
- 關鍵字： 三菱電機 專精特新
三菱電機推出“SLIMDIP-Z”功率半導體模塊
- 三菱電機集團近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDIP?系列能夠滿足逆變器單元更廣泛的功率和尺寸需求，有助于簡化和縮小空調(diào)、洗衣機和冰箱等多功能和復雜產(chǎn)品的體積。30A的高額定電流將助力簡化和縮小家電應用中的逆變器系統(tǒng)三菱電機集團近日宣布，其新型SLIMDIP-Z功率半導體模塊將于2023年2月發(fā)布，該模塊具有30A的高額定電流，主要應用于家用電器逆變器系統(tǒng)。該緊湊型模塊將使SLIMDI
- 關鍵字： 三菱電機 功率半導體模塊
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