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          革命性超越 浦科特M5P 128G SSD

          作者: 時(shí)間:2012-12-10 來源:pconline 收藏

             128G概況介紹:

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/139905.htm

            

            外觀包裝上基本延續(xù)了M3P簡單務(wù)實(shí)的設(shè)計(jì)風(fēng)格。送測的容量為128G,在包裝盒顯眼的位置可以看到,獨(dú)家的True Speed固態(tài)硬盤技術(shù)及提供5年質(zhì)保等信息!

            

           

           

            

           

             128G

            浦科特PX-128 M5P 固態(tài)硬盤采用全新輕薄的純白外觀設(shè)計(jì),經(jīng)過特殊的金屬拉絲工藝處理,富有強(qiáng)烈的金屬質(zhì)感。而它厚度也跟M3P一樣,只有7毫米,尤其適合超薄PC。

            

           

            M5P背面

            

           

            充滿著純白的誘惑

            全新的M5P不管從哪個(gè)角度看上去都與眾不同,這次終于洗“芯”革面,換上了最新的Marvell主控,將之前沿用了幾代的88SS9174 (梵高)換成了更強(qiáng)大的88SS9187(莫納),而閃存則采用壽命更長,性能更穩(wěn)定,速度更快的19nm工藝東芝MLC閃存顆粒,128G版本配備了一顆256MB的南亞緩存顆粒,性能提升多少后面的評(píng)測將為您揭開。

            

           

            產(chǎn)品背部的標(biāo)簽

            從產(chǎn)品的背部標(biāo)簽可以看出,這款浦科特M5P的固件版本為1.00,采用2.5英寸標(biāo)準(zhǔn)規(guī)格,制造日期為2012年7月,產(chǎn)地為臺(tái)灣,容量為128G,采用最新SATA 3.0接口,通過各種電子產(chǎn)品機(jī)構(gòu)認(rèn)證。

            

           

            接口特寫

            接口仍舊是SATA 6Gb/s。功耗方面,隨著容量的增加而增加,據(jù)官方給出的數(shù)據(jù),M5P 128G功耗約5W(最大功耗),256G功耗約7.5瓦特(最大功耗),而512GB達(dá)到10瓦特(最大功耗),這樣的功耗相對(duì)顯卡,CPU太小兒科了!

            浦科特M5P的拆解賞析:

            

           

            拆解后:導(dǎo)熱貼是亮點(diǎn)

            浦科特M5P采用四顆螺絲固定,分布在兩側(cè),這與其他品牌有所不同,拆解起來很方便。從上面的拆解圖可以看出,主控與閃存的位置上均貼有導(dǎo)熱貼,有助于主控與閃存的散熱,也能起到緩沖加固作用。

            

           

           

            PCB板正面與反面

            從PCB板正反面看,浦科特基本保持一貫的作法,主控單獨(dú)位于一側(cè),閃存顆粒與緩存顆粒位于另一側(cè),這樣設(shè)計(jì)作用可以有效避免不必要的信號(hào)干擾。PCB反面排下了全部的8顆東芝MLC NAND顆粒,單顆容量為16GB。另外還有一顆南亞的DRAM顆粒作為緩存。

            

           

            主控芯片

            Marvell 88SS9187也稱“莫納”,基于雙核心設(shè)計(jì),內(nèi)部集成的處理器為Marvell 88FR102 V5 CPU,支持8通道閃存,每通道可以跑200MB/s傳輸率,支持最大1GB DDR3緩存,并支持多種節(jié)能,針對(duì)超級(jí)本進(jìn)行優(yōu)化。

            新主控Marvell 88SS9187的特色:

            1. 88SS9187的主機(jī)接口支持最新的SATA 6Gbps Rev 3.1規(guī)范,業(yè)內(nèi)最低運(yùn)行/待機(jī)功耗。

            2.內(nèi)部硬件RAID數(shù)據(jù)冗余支持,依靠特定固件可以在NAND出現(xiàn)問題的情況下恢復(fù)數(shù)據(jù)。

            3.主控的閃存接口支持8通道,每通道200MT/s帶寬。

            4.ECC錯(cuò)誤校驗(yàn)引擎能力提高(比新制程顆粒需求更高),元數(shù)據(jù)支持獨(dú)立ECC。

            5.針對(duì)映射表的需求,緩存容量最大支持到DDR3 1GB,支持適應(yīng)性讀寫機(jī)制。

            6.持續(xù)讀取性能封頂SATA 6Gbps,在穩(wěn)定態(tài)下也保證最大約500MB/s的持續(xù)寫入性能。

            

           

            閃存顆粒

            閃存顆粒部分,可以看到顆粒編號(hào)為:東芝TH58TEG7D2JBA4C,這是Toshiba的19nm Type A MLC顆粒,內(nèi)部2個(gè)Die(芯片),8KB Page,1個(gè)Block為256個(gè)Page(2MB),2個(gè)Plane,接口為DDR 2.0 (400MT/s),132BGA封裝。單顆芯片容量為16GB,工藝提升至19nm,這是目前制造工藝最先進(jìn)、品質(zhì)最高、同時(shí)也是速率最高的閃存芯片。

            

           

            緩存顆粒

            南亞的緩存DRAM顆粒特寫,Part Number為NT5CB128M16BP-CG,速度為DDR3-1333 CL9。從南亞的官方網(wǎng)站我們查到它的Density為128Mbx16=2Gb,也就是256Mbytes,因此它是單顆256MB的顆粒。



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