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          國際IC業(yè):形態(tài)已變化,多屏SOC架構(gòu)融合

          —— 國際IC業(yè):形態(tài)已變化,多屏SOC架構(gòu)融合
          作者:邢雁寧,姚琳,孫加興 時間:2012-12-11 來源:電子產(chǎn)品世界 收藏

            CSIP(工信部軟件與促進中心)在2012年11月的研究報告中指出:

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/139948.htm

            1、全球IC產(chǎn)業(yè)形態(tài)發(fā)生變化,虛擬模式起步

            以Intel的20nm生產(chǎn)線投產(chǎn)為標志,全球產(chǎn)業(yè)有走向類模式的趨勢。過去幾年,F(xiàn)reescale、NXP等半導體公司紛紛關停生產(chǎn)線,走輕資產(chǎn)的外包模式,根本原因是新一代工藝半導體生產(chǎn)線的成本呈飛漲之勢,風險巨大,這些企業(yè)無力承擔開發(fā)下一代工藝技術的高昂費用。

            20nm以下的工藝技術極其復??雜,需要新的曝光設備及EDA工具,一條20nm生產(chǎn)線在整個壽命周期內(nèi)的開支高達300-500億美元,僅有Intel、三星等少數(shù)巨頭有足夠的資本投入。而且進入到20nm以后,先進工藝對成本降低的左右逐步降低。Intel從45nm到32nm可降低10.1%成本,但由32nm推進至22nm卻僅降低3.3%成本,預計到14nm以后,單位面積的成本不降反升。另一方面,隨著20nm以下工藝難度與投資劇增,半導體產(chǎn)業(yè)將進入后摩爾定律(Post-Moo??re's Law)時代,轉(zhuǎn)向2.5D/3D IC的SoC技術支線發(fā)展。先進制程將加速平面互補式金屬氧化物半導體工藝走向盡頭,F(xiàn)inFET與異質(zhì)芯片堆疊技術將走上舞臺。Foundry、芯片設計公司必須緊密合作,組成虛擬的聯(lián)合體,才能保證產(chǎn)品良率和生產(chǎn)效率,降低投資風險。

            2、多屏架構(gòu)趨于融合,低功耗、低成本成為競爭方向

            隨著智能手機、平板電腦、智能電視多屏應用融合,高性能、低功耗、低成本的規(guī)格需求趨同,以及以ARM-Android為基礎的全球智能生態(tài)系統(tǒng)形成,導致各種屏智能產(chǎn)品的主芯片關鍵技術與架構(gòu)趨于融合。合理規(guī)劃后的同一套關鍵技術與架構(gòu),可基于不同配置,分別用于智能手機、平板電腦和智能電視,有利于實現(xiàn)數(shù)字家庭的多種應用。

            采用先進的制程,不斷提高集成度,實現(xiàn)更快速度、更多功能、更低的功耗和成本是芯片產(chǎn)業(yè)競爭的永恒法則,尤其是中國市場上,低功耗與低成本成為產(chǎn)業(yè)化競爭的重要手段,對建立節(jié)約型社會具有重要意義,而這一切離不開SOC芯片的架構(gòu)設計與技術積累支撐。持續(xù)地對于低功耗、低成本的研究與探索也必將在相當長時間成為國內(nèi)IC設計產(chǎn)業(yè)競爭的焦點。



          關鍵詞: 集成電路 IDM SOC

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