TrenchFET IV是TrenchFET功率MOSFET家族中的最新一代產(chǎn)品。與TrenchFET III相比，TrenchFET IV的導(dǎo)通電阻(RDS(ON)和柵極電荷(QG，QGD)數(shù)值都有所減小，降低了同步DC/DC轉(zhuǎn)換器中的損耗。過去，降低RDS(ON)通常會以更高的柵極電荷做為折衷。但TrenchFET IV采用一種新的高密度設(shè)計，同時實現(xiàn)了優(yōu)化的柵極電荷水平和更低的RDS(ON)。表1比較了TrenchFET IV產(chǎn)品SiRA00DP和采用以前最先進技術(shù)的SiR812DP TrenchFET Gen III功率MOSFET。新器件的RDS(ON)和QG分別低30%和39%。　　

 

　　改善導(dǎo)通電阻與柵極電荷乘積(優(yōu)值系數(shù)，F(xiàn)OM)，不僅能夠提高總體的系統(tǒng)效率，還能夠使DC/DC轉(zhuǎn)換器實現(xiàn)更高的功率密度和更高的開關(guān)頻率。為驗證從TrenchFET III到TrenchFET IV在效率上的提高，我們測試了兩個TrenchFET IV，分別是SiRA14DP和SiRA04DP，使用19V的輸入電壓以實現(xiàn)1V的輸出。

　　圖1演示了在同步降壓轉(zhuǎn)換器中使用TrenchFET IV做為“控制FET”的情況，TrenchFET IV的效率比TrenchFET III高0.5%，電流最高達27A?！　?/p>

 

　　圖2顯示了在同步降壓轉(zhuǎn)換器中將TrenchFET IV用作“同步FET”對效率的提高情況。改用TrenchFET IV，能夠在兩個關(guān)鍵的地方獲得改善：效率提高1.5%以上，每個MOSFET處理的輸出電流更大。更高的輸出電流處理能力使設(shè)計者在能夠減小處理給定電流水平所需的MOSFET的數(shù)量和尺寸。