Vishay發(fā)布新款具有“R”失效率的QPL鉭氮化物薄膜片式電阻
日前,Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號:VSH)宣布,推出通過MIL-PRF-55342認證的新系列QPL表面貼裝片式電阻---E/H(Ta2N),該電阻具有公認的高可靠性,失效率達到每1000小時0.01%的“R”級。新款E/H(Ta2N)電阻采用耐潮的鉭氮化物電阻膜技術制造,為軍工和航天應用提供了更好的規(guī)格指標,包括0.1%的公差和25ppm/℃的TCR。有關Ta2N產品數(shù)據(jù)表,請訪問:http://datasheet.eepw.com.cn/datasheet/show/id/3120916?!?/p>本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/146984.htm
新推出的Vishay Dale薄膜QPL電阻適用于軍工和航天應用的控制系統(tǒng),在這些場合下,工作過程中的潮氣或長時間存放都是需要考慮的問題。器件的鉭氮化物電阻膜使器件的耐潮能力超過MIL-PRF-55342規(guī)定限值的50倍。
E/H(Ta2N)薄膜電阻具有小于25dB的超低噪聲,以及低至0.5ppm/V的電壓系數(shù)。電阻的卷繞端接采用牢固的粘附層,覆蓋一層電鍍鎳柵層,使器件可在+150℃溫度下工作,而粘附層產生的電阻還不到0.010Ω。
器件有M55342/01~M55342/12共12種外形尺寸,功率等級為50mW~1000mW,工作電壓為30V~200V,根據(jù)公差,阻值范圍49.9Ω~3.3MΩ。
E/H (Ta2N)薄膜電阻現(xiàn)已量產,供貨周期為八周到十周。
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