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          實(shí)現(xiàn)8位微控制器升級至32位的關(guān)鍵

          作者: 時間:2011-04-25 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          現(xiàn)今基于嵌入式微 (MCU) 的應(yīng)用對功能的要求不斷增多,例如,電機(jī)控制必須具有更高的能源效率;以往獨(dú)立的應(yīng)用也必須聯(lián)網(wǎng)。在這種情況下,對微的性能和存儲容量的要求也大為提高。對一些應(yīng)用而言,解決的方法就是從8位或16位MCU至32位。這樣一來,雖然性能得以提高,但也可能導(dǎo)致單元成本、系統(tǒng)復(fù)雜性以及軟件開發(fā)成本的增加。本文將討論如何通過系統(tǒng)集成將8位功能加入至32位系統(tǒng)中,以及提供功能強(qiáng)大的低成本開發(fā)工具,從而加快這種過程。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/150823.htm

            通過提升制造技術(shù)可以降低單元成本。不過,除非32位MCU具備和8位或16位系統(tǒng)相若的系統(tǒng)集成度,否則這些優(yōu)點(diǎn)都將因?yàn)榧尤胪獠科骷某杀径还P勾銷。高性能系統(tǒng)獨(dú)有的高速緩存等往往令系統(tǒng)變得復(fù)雜。但是對那些正在至 32 位系統(tǒng)的典型實(shí)時控制應(yīng)用而言,這些并不是必需的功能。雖然,把現(xiàn)有代碼移植到新一代更高性能微的成本是無法省去的,但為了減少整體所需的工作量,可以通過開發(fā)工具的設(shè)計(jì)來推動這種升級過程。

            市場趨勢:轉(zhuǎn)向32位MCU

            根據(jù)Gartner Dataquest公司統(tǒng)計(jì),在過去10年間,32位微控制器在MCU市場的營業(yè)額從零開始增長到了近25%,目前的增長率高于8位或16位系統(tǒng)。而且,隨著眾多配備了針對特定市場領(lǐng)域,如汽車市場等的功能集的器件不斷涌現(xiàn),MCU 市場正在逐步分化。 從8位和16位MCU升級至 32位架構(gòu)的重點(diǎn)是深度嵌入式實(shí)時控制應(yīng)用。

            此外,目前產(chǎn)業(yè)界還出現(xiàn)了一個明顯趨勢,就是ARM RISC處理器正逐漸成為32位MCU的行業(yè)標(biāo)準(zhǔn),一如當(dāng)初8051架構(gòu)是8位系統(tǒng)的標(biāo)準(zhǔn)。目前,ARM 在32位嵌入式RISC MCU市場的占有率達(dá) 75%,截至2005年1月,ARM各合作伙伴已付運(yùn)超過25億片的的ARM 內(nèi)核的MCU。

            成本:技術(shù)和整合度的考慮

            采用當(dāng)前0.18μm的工藝技術(shù),生產(chǎn)一塊包含有一個32位RISC處理器、標(biāo)準(zhǔn)外圍設(shè)備和一個小容量閃存的單芯片成本并不昂貴,但對于8位應(yīng)用而言,單憑此尚不足夠。從8位微控制器升級的應(yīng)用需要有更高水平的系統(tǒng)集成度 (見圖1),來滿足整體的系統(tǒng)成本預(yù)算。而且,這種整合度必須讓32位系統(tǒng)具有8位片上系統(tǒng)的基本功能。

            32位器件必須采用單電源工作;集成大電流驅(qū)動 I/O 和收發(fā)器;控制系統(tǒng)上電;通過低成本晶振生成系統(tǒng)時鐘;而且其 I/O上應(yīng)具有可編程上拉電阻 (pull-up)。此外,32位器件還應(yīng)確保在任何環(huán)境下應(yīng)用的行為都可以預(yù)測,這需要一個節(jié)電檢測器 (brown-out detector)、一個可編程監(jiān)視器,以及一個集成RC振蕩器,而毋需高速緩存和閃存加密位 (lock bit)。

            從8位升級至 32位系統(tǒng)時的性能要求

            嵌入式閃存的訪問時間

            基于8位微控制器的應(yīng)用一般是以控制為主導(dǎo) (control-driven) 的,要求對外部事件的確定過程式 (deterministic) 響應(yīng)和可預(yù)測的響應(yīng)時間。然而,用來加快對緩慢非易失性儲存媒介之存取速度的高速緩存卻不是決定性的,因此對于那些對時間要求嚴(yán)格的應(yīng)用來說是不可接受的。提高實(shí)時性能又不增加成本的惟一方法,就是加快對嵌入式閃存的存取速度。

            目前產(chǎn)業(yè)界的0.18μm工藝技術(shù)能在30MHz的ARM微控制器上進(jìn)行單周期內(nèi)訪問,原始性能可達(dá)27MIPS,遠(yuǎn)高于現(xiàn)有的一般 8位微控制器。

            提高中斷處理能力

            實(shí)時控制應(yīng)用一般是采用中斷驅(qū)動,利用多個中斷源和規(guī)定每一中斷時間內(nèi)所需的響應(yīng)來進(jìn)行。基本的ARM架構(gòu)有一個弱點(diǎn),就是它的中斷處理機(jī)制很簡陋,沒有中斷優(yōu)先所需的硬件裝置。這時便需要一種裝置來增強(qiáng)中斷能力,如圖2所示。它提供一組帶有 8 個優(yōu)先級別之可獨(dú)立屏蔽的向量式中斷源。永久存儲在SRAM中的基本中斷處理程序負(fù)責(zé)分配中斷的優(yōu)先級級別,然后執(zhí)行一條指令,利用中斷號 (每一中斷源均獲發(fā)一個獨(dú)有編號) 作為偏移量 (offset),把用于所需中斷服務(wù)程序的向量直接裝載入程序計(jì)數(shù)器 (Program Counter)。這種簡單有效的機(jī)制能夠確保在最少數(shù)目的指令周期內(nèi),把控制傳送到所需的中斷服務(wù)程序中。


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