本文研究了電場積分方程(EFIE)中被積函數(shù)奇異性的處理方法，特別是三維矢量散射分析中出現(xiàn)的高階奇異性，給出了兩種解決積分方程奇異性的數(shù)值方法.一種方法是計算O(1/R)階奇異積分的奇異轉移法［1］.另一種方法是為解決O(1/R2)高階奇異積分的數(shù)值計算問題的，它是通過排除一包含奇點的有限小塊，而這一小塊區(qū)域對積分的貢獻為零，從而使積分方程在整個積分域變得數(shù)值可積.
　　關鍵詞:三維矢量散射；電場積分方程；自阻抗；主值積分

Singularity Analysis of the Integral Equation for Three Dimension Vector Fields Scattering

WANG Hao-gang,NIE Zai-ping
(Dept.of Microwave Eng.,UEST of China,Chengdu 610054,China)

　　Abstract:In this paper,the singularity in the integrand of electrical field integral equation (EFIE) for 3-dimensional vector fields scattering is first analyzed.Two numerical methods for solving the singularity integral equation are developed.One method is the singularity transferring method for calculating integral value containing O(1/R) singularity in its integrand［1］.The other singularity is removed first and the integral contribution of this small area is proved to be zero.Thus,the integral on the whole integral area can be calculated properly by using numberical method.
　　Key words:3 dimension vector fields scattering;electrical field integral equation;self-impedance;principal integral

一、引　　言
　　隨著計算技術的發(fā)展，數(shù)值方法在求解三維矢量散射問題中的應用越來越廣泛.用矩量法求解三維矢量散射問題的關鍵是精確求解阻抗矩陣的元素，特別是自阻抗元素.求解這些矩陣元素需要對場點和源點的面積分.在自阻抗元素的求解中，將遇到場點與源點重合時產(chǎn)生奇異積分核的問題.目前，國內外學者對此類奇異積分的處理，盡管有一些研究，但不盡如人意.有的對其作近似處理［3］，降低了阻抗矩陣對角線元素的數(shù)值精確性，從而直接影響到電磁散射數(shù)值解的精度.對電場積分方程(EFIE)中被積函數(shù)奇異性(自阻抗元素的積分表示式中含有奇異性的來源)的分析可采用主值積分法，得到的電場積分方程是去除奇點的主值積分.由于在奇點附近，被積函數(shù)變化非常劇烈，所以不能對該主值積分使用一般的數(shù)值求積方法.但由于在主值積分中積分域不含奇點，被積函數(shù)是解析的，故可方便地對其進行數(shù)值分析.本文結合參數(shù)幾何知識導出了對主值積分形式的電場積分方程進行數(shù)值求積的兩種方法.其一是在奇異轉移方法［1］基礎上對電場積分方程中O(1/R)階奇異積分項進行數(shù)值求積的具體方案.其二是對O(1/R2)高階奇異積分項的處理，這種方法是去除奇點附近被積函數(shù)變化劇烈的一有限小塊區(qū)域，然后證明了在這一小塊區(qū)域內的積分為零，從而使積分變得數(shù)值可積，較圓滿地解決了電場積分方程數(shù)值求解問題.運用本文方法對導體球及兩端開口薄壁圓柱和正方形平板的RCS進行了數(shù)值計算，獲得了滿意的結果.

二、積分的奇異性及三維EFIE的主值積分
　　三維導體矢量散射的電場積分方程(EFIE)可表示為：

　(1)

選擇適當?shù)木钟螂娏骰瘮?shù){jp(r′)}來表示金屬散射體表面電流J(r′)，得：

　(2)

再選擇適當?shù)臋嗪瘮?shù){tq(r)}，從而把式(1)離散成矩陣方程：

　(3)

　　其中,Fq為激勵項，ap為響應項，Aqp則為阻抗元素項.在參數(shù)空間中，阻抗元素的積分表達式為：

　(4)

式中，sq和sp分別表示對場點和對源點的積分域；u1和u2與u′1和u′2分別為參數(shù)空是中場點和源點的坐標；r/ui和r′/ui(i=1,2)為實空間中物體表面上的r和r′點的切向矢量;g=det(gij),(i,j=1,2)，gij=r/ui.r/uj,(i,j=1,2)為曲面s的第一類基本量［4］.
　　參數(shù)空間中，基函數(shù)選擇屋頂函數(shù)(rooftop functions):

　(5)
　(6)

式(5)、(6)中i=1時，j=2;i=2時，j=1，而且

　(7)

　(8)

　　當sself=sq∩sp≠φ時，Aqp被稱作自阻抗元素，此時場點積分域與源點積分域部分或完全重合.當r′→r時，R→0，從式(4)可以看出，被積函數(shù)發(fā)散.在經(jīng)典函數(shù)論中，該積分無意義.這對數(shù)值求解帶來巨大的困難.
　　然而，在實際上電流產(chǎn)生的場總是有限和唯一的.對此，采用奇異積分的主值積分法［5］分析電場積分方程.式(1)可寫成：

　(9)

式中，電場積分方程被分為兩項.第一項為不含場點(奇點)的主值積分.第二項為含場點的分離面積元積分.由于主值積分不含有奇點，故可用通常的數(shù)值方法計算.下面討論第二項對整個積分方程的貢獻.可以證明［6］不論Δs形狀如何，當Δs→0時，Δs自身散射場Esself與場點處總場E(r)有以下關系：

　(10)

　　由于在理想導體表面上電場與表面垂直，所以式(9)第二項為零，即：

　(11)