不讓韓國(guó)三星專美于前，日本半導(dǎo)體大廠東芝及美商晟碟(SanDisk)6日宣布，將共同斥資4,000億日?qǐng)A(約新臺(tái)幣1,221.2億元)，于日本三重縣四日市興建儲(chǔ)存型快閃存儲(chǔ)器(NAND Flash)新廠，導(dǎo)入最新16至17納米制程，使總產(chǎn)能提升20%，明年4月量產(chǎn)，為在臺(tái)后段封測(cè)廠力成(6239)營(yíng)運(yùn)挹注成長(zhǎng)動(dòng)能。

　　這是三星在上月宣布調(diào)高今年半導(dǎo)體資本支出后，東芝近兩年來(lái)首度做出增產(chǎn)決定，因?yàn)樘O果中低價(jià)手機(jī)和大陸手機(jī)的強(qiáng)勁需求。

　　研究機(jī)構(gòu)統(tǒng)計(jì)，去年全球NAND Flash出貨量，三星居全球之冠，市占率37%;東芝排名第二，市占率31%。據(jù)了解，受惠日?qǐng)A貶值，以及蘋果和大陸品牌下單量攀升，加上先前調(diào)節(jié)性減產(chǎn)，讓東芝NAND Flash已無(wú)法滿足市場(chǎng)需求，決定7月起開(kāi)始增產(chǎn)。

　　稍早東芝表示，為確保NAND Flash次世代制程產(chǎn)品及3D存儲(chǔ)器的生產(chǎn)空間，將于旗下位于三重縣四日市第三座12寸NAND Flash廠「Fab 5」的第二期工程興建新廠，8月底動(dòng)工興建，2014年夏天完工，但新廠工程的設(shè)備導(dǎo)入時(shí)間、量產(chǎn)時(shí)間、產(chǎn)能及生產(chǎn)計(jì)劃等細(xì)節(jié)，將視市場(chǎng)動(dòng)向決定。

　　東芝的Fab 5第一期工程廠房由東芝投資興建，包括東芝和美商新帝(SanDisk)合資的NAND Flash生產(chǎn)線。隨著三星決定加碼擴(kuò)產(chǎn)，將今年資本支出上修至24兆韓元，其中13兆韓元用于強(qiáng)化DRAM、NAND Flash及邏輯IC競(jìng)爭(zhēng)力，讓東芝和晟碟決定加快建廠腳步。