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東芝擴充低壓N通道MOSFET陣容

—— 低導(dǎo)通電阻可減少移動設(shè)備的傳導(dǎo)損失

作者：時間：2013-08-13 來源：電子產(chǎn)品世界

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　　東京—東芝公司(TOKYO：6502)日前宣布通過“MOSFET”擴充移動設(shè)備鋰離子電池和電源管理開關(guān)專用保護電路中使用的低壓N通道MOSFET的陣容。TPN2R203NC采用第八代工藝打造，實現(xiàn)了低導(dǎo)通電阻，可減少設(shè)備的傳導(dǎo)損失。

本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/158932.htm

　　主要特性

　　采用第八代工藝打造，實現(xiàn)低導(dǎo)通電阻
　　采用TSON Advance封裝，具有很好的導(dǎo)熱性
　　高雪崩電阻

　　主要規(guī)格

離子色譜儀相關(guān)文章:離子色譜儀原理

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關(guān)鍵詞：東芝 MOSFET 鋰離子電池

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