ADDR為輸入地址端口。控制器將其解析為對應的片選、頁以及行、列地址。以一條MIT16LSDT6464A內存條為例，其大小為512Mbyte（2 29 byte）。數(shù)據位寬為64bit（8byte），則地址線ADDR應為26根?？梢赃@樣映射地址：ADDR[25]對應內存芯片組號；ADDR[24:23]對應頁號；ADDR[22:10]對應行號；ADDR[9:0]對應列號。

DATAIN為寫入數(shù)據端口，64bit位寬。

　　DATAOUT為讀出數(shù)據端口，64bit位寬。

　　RD_OE為讀出數(shù)據使能端口，當其為1時，表示從下一個時鐘起，數(shù)據將依次出現(xiàn)在DATAOUT口上。

　　WR_OE為寫入數(shù)據使能端口，當其為1時，寫入數(shù)據應該依次出現(xiàn)在DATAIN口上。

　　CMD[2:0]為命令輸入端口，分別表示讀、寫內存等待操作。其中，CMD=“000”表示無操作，內存條交給控制器管理，定其完成刷新工作；REFRESH命令由外部邏輯指定特刷新的內存芯片信號，組號由ADDR的低位給出；LOAD_MODE命令執(zhí)行內存條工作寄存器初始化工作，初始化值由DATAIN的低13位決定，內存芯片組號同樣由ADDR的低位給出；同理，ADDR的低位也決定了預充電操作所對應的內存芯片組號。

　　CMDACK為命令應答端口，表示命令已經被執(zhí)行，使外部邏輯可以向控制器發(fā)出下一個動作。

　　4.2 狀態(tài)機

　　圖3是SDRAM控制器的狀態(tài)轉移圖。狀態(tài)圖中的各個狀態(tài)內均包含一系列的子狀態(tài)轉移（對SDRAM內存條發(fā)出連續(xù)命令），每個子狀態(tài)完成一個功能操作。初始化操作包括前面介紹的內存條初始化全過程，工作寄存器的默認值在VHDL程序中指定。以后可以通過LOAD_MODE命令改變內存條的工作模式。初始化結束后，內存條進入Idel狀態(tài)，刷新計數(shù)器開始工作，控制器開始響應外部邏輯的操作請求。

　　刷新計數(shù)器操作是一個獨立的進程（process）。刷新計數(shù)器的初值由內存芯片要求、內存條個數(shù)和控制器工作頻率共同決定。例如，在本次設計中，所采用的MT48LC32M8A2內存芯片要求在64ms內夏至少刷新8196次。而MIT16LSDT6464A型內存條共有兩組內存芯片，也就是要求在64ms內要發(fā)出8196×2條自刷新（AUTO REFRESH）指令。系統(tǒng)工作時鐘為46.66MHz,因此控制單條MIT16LSDT6464A時，刷新計數(shù)器初值至多為（64ms/8196/2）×6、、46.66MHz,即182.開始工作后，每當刷新計數(shù)器值減為0,便依次向內存芯片組發(fā)出刷新命令，保證SDRAM中的數(shù)據不丟失。刷新請求是內存請求；讀和寫操作是外部請求。在Idel狀態(tài)中有請求仲裁邏輯，當內部和外部請求同時出現(xiàn)時，優(yōu)先保證內部請求，狀態(tài)轉移至刷新操作。當刷新操作結束時，重新返回Idel狀態(tài)，開始響應外部請求。響應外部請求后，應答信號CMDBAK出現(xiàn)正脈沖。它通知外部邏輯，請求已經被響應，可以撤銷請求。在刷新操作狀態(tài)中，也有許數(shù)器計數(shù)，其大小等于控制器管理的內存芯片信號。記錄并判斷此次刷新操作所對應的內存芯片的組號，產生相應的片選信號。

　　響應讀、寫請求后，狀態(tài)從Idel轉移到讀、寫狀態(tài)。同時讀、寫地址和寫入的數(shù)據鎖存至控制器?？刂破饔勺x寫地址解析出CS信號、頁地址、行地址、列地址。向內存條發(fā)出一系列命令（ACTIVE,READ/WRITE with AUTO PRECHARGE），完成讀寫操作，為了簡化，此控制器向SDRAM發(fā)出的都是帶有AUTO PRECHARGE的讀、寫指令，然后由SDRAM內部邏輯自動在讀、寫過程末期發(fā)出PRECHARGE指令（在發(fā)READ/WRITE指令時，地址線A10賦值1,打開AUTO PRECHARGE功能）。圖4和圖5分別是利用該控制器完成讀、寫操作的時序圖。讀操作的CAS延遲為兩個時鐘。

　　該SDRAM控制器在中頻數(shù)據海量存儲系統(tǒng)中已得到應用。數(shù)據接收邏輯將接收到的中頻采樣數(shù)據整理后（拼接成64bit），通過SDRAM控制器存入SDRAM陣列。存滿后，數(shù)據輸出邏輯將中頻數(shù)據通過SDRAM控制器從內存條中取出，傳輸至上位機。其VHDL代碼在ATERA公司的FPGA--EP1C6Q240中通過了Quartus II的仿真、綜合和布局、布線。占用499個logic cellk,消耗了8%的邏輯資源。留有豐富的資源可提供給其它邏輯單元使用。

　　上面介紹了SDRAM的基本工作原理和一種簡單的通用SDRAM控制器的實現(xiàn)。SDRAM的控制機制比較復雜，具有多種突發(fā)讀、寫方式和工作模式（詳細內容請參考SDRAM的數(shù)據手冊）。但是，可以根據實現(xiàn)應用，實現(xiàn)其中的一個子集（基本讀、寫、刷新操作）來滿足實際系統(tǒng)的需要。用SDRAM實現(xiàn)大容量的高速數(shù)據緩存具有明顯的優(yōu)勢，使用可編程器件實現(xiàn)SDRAM控制器則使之具有更高的靈活性，其應用前景廣闊。