以較高的開關(guān)頻率在負(fù)載點(diǎn) (POL) 應(yīng)用中工作
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技術(shù)方案與實(shí)用技巧
如表2所示，使用最新一代的 FOM 硅，F(xiàn)DPC8011S 能夠近似匹配大尺寸備用設(shè)計(jì)的 RDS(ON)值。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/170366.htm
效率：
圖12和圖13展示三個選項(xiàng)之間的效率和功率損耗比較： Power Clip 33 Dual、Power Stage 56 Dual 和分立式 Power 33 / Power 56。測試點(diǎn)是一個典型的 POL 操作點(diǎn);12 Vin 和 1.6 Vout。 在 300 kHz 和 600 kHz 的頻率下對性能進(jìn)行了比較。
這些 MOSFET 組合經(jīng)過測試，因?yàn)樗薪M合擁有類似的電氣特性。 這就能夠?qū)⑿≌嘉幻娣e和低寄生參數(shù)的 Power Clip 33 設(shè)計(jì)與傳統(tǒng)尺寸封裝進(jìn)行比較。 FDPC8011S 同時在 300 kHz 和 600 kHz 的頻率下在幾乎整個負(fù)載范圍內(nèi)展示出更高的效率和更低的損耗。
注意，分立式組合和 Power Clip 之間的性能交叉點(diǎn)在更高的操作頻率下顯著移出。 這反映了 Power Clip 33 更低的封裝和開關(guān)環(huán)路寄生參數(shù)。
開關(guān)性能
表3展示了每個封裝的 PSPICE 模型參數(shù)。 四個電感： HS 漏極、HS 源極、LS 漏極和 LS 源極，對于提升效率至關(guān)重要，因?yàn)樗鼈兌荚?AC 開關(guān)路徑中，且都能限制最大 di/dt 開關(guān)速度。 Power Clip 33 的一個獨(dú)特功能是，LS MOSFET 源極朝下。 因此，LS 源極電感比之前的封裝低一個數(shù)量級。
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