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          基于Zetas的串聯(lián)超級電容器電壓均衡技術(shù)

          作者: 時(shí)間:2013-09-05 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:介紹了一種基于Zetas的串聯(lián)(SC)。該電壓均衡電路通過輔助電源提供能量,依據(jù)各單體的端電壓對其補(bǔ)充能量,實(shí)現(xiàn)各單體電壓均衡。與現(xiàn)有相比,提出的僅需一個(gè)開關(guān)管,且當(dāng)其工作于(DCM)時(shí)即可自動(dòng)完成均壓,無需閉環(huán)控制,省去電壓檢測及控制電路,從而降低系統(tǒng)復(fù)雜性,提高均壓電路可靠性。通過分析其工作特性,給出了均壓電路的參數(shù)設(shè)計(jì)方法。實(shí)驗(yàn)結(jié)果與理論分析相符,證明了該均壓電路的優(yōu)良均壓性能。
          關(guān)鍵詞:;;均壓電路;

          1 引言
          SC也稱雙電層電容器,是一種新興儲能元件。它具有功率密度高,循環(huán)使用壽命長,使用溫度范圍寬,溫升小,充放電迅速,相對成本低等優(yōu)點(diǎn),是微電網(wǎng)儲能系統(tǒng)研究的重要方向之一。SC單體電壓等級無法滿足微電網(wǎng)要求,故實(shí)際中需對其串聯(lián)形成SC組以提高電壓等級。但串聯(lián)SC組單體參數(shù)不同,造成充放電過程中單體電壓不均衡,影響SC有效利用容量及使用壽命。為解決上述問題,提出能量轉(zhuǎn)移型均衡器均壓方法,其原理是通過開關(guān)管、電感、電容的組合將端電壓較高單體上能量轉(zhuǎn)移到較低單體上或從外部補(bǔ)充能量,以實(shí)現(xiàn)均壓。但這些均壓電路需大量開關(guān)管、傳感器或多繞組變壓器,且元件數(shù)量會隨SC串聯(lián)個(gè)數(shù)增加而逐漸增加,使均壓電路復(fù)雜性及成本增加。
          針對上述均壓方案的缺點(diǎn),建立了一種基于Zetas的單開關(guān)均壓電路。該電路僅需一個(gè)開關(guān),相對于傳統(tǒng)均壓電路其構(gòu)更為簡單,且該均壓電路工作于DCM即可完成均壓,無需閉環(huán)控制,從而省去了電壓檢測電路與控制電路。

          2 工作原理
          圖1示出傳統(tǒng)Zeta變換器電路。圖2示出基于多段式Zetas的均壓電路結(jié)構(gòu),其中C,L,V,C4,VD4,L4與圖1中的Zeta變換器相同,Ci,VDi,Ll(i=1,2,3,4)疊加在一起并聯(lián)在SC單體(Cs1~Cs4)兩端,故為多段式Zetas均壓電路。C與串聯(lián)SC組并聯(lián)以保持Zetas變換器中的Uin穩(wěn)定。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/175720.htm

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          假設(shè)4個(gè)SC串聯(lián),將串聯(lián)SC組總電壓作為均壓電路的輸入,控制MOSFET的通斷,通過均壓電路實(shí)現(xiàn)能量再分配。均壓電路開始工作時(shí),端電壓最低的單體兩端的二極管導(dǎo)通時(shí)間最長,該單體得到的能量最多;隨著均壓電路的工作,各二極管導(dǎo)通時(shí)間逐漸趨于一致,最終各單體電壓平衡,二極管導(dǎo)通時(shí)間相同,各單體得到能量相同。由于均壓電路中的電感、電容、MOSFET、二極管的損耗和導(dǎo)通壓降會使均壓電路速度較慢,且會使得串聯(lián)SC組有一定的能量損失。因此對原有均壓電路進(jìn)行改進(jìn),得到新的均壓拓?fù)洹?br />
          3 改進(jìn)后的均壓電路
          圖3示出改進(jìn)后的均壓電路,電路使用外部輔助電源提供能量,斷開SC組與均壓電路輸入端的連線。輔助電源的電壓Uin即為均壓電路的輸入電壓,其表達(dá)式為:
          Uin=4UsCN+UVD+Uc (1)
          式中:UsCN為超級電容額定電壓;UVD為二極管導(dǎo)通壓降;Uc為MOSFET導(dǎo)通壓降及電感電容上的損耗壓降。

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          4 實(shí)驗(yàn)參數(shù)及結(jié)果
          按照圖3所示的均壓電路搭建實(shí)驗(yàn)樣機(jī),電路參數(shù)如下:UVD=0.36 V,L=400μH,C1=C2=C3=C4=470μF,L1=L2=L3=L4=100μH,SC容值Cs=25 F,UsCN=2.7 V,MOSFET采用IPI045N10N3,工作頻率為20 kHz,占空比為0.5。
          圖4a示出均壓過程中VD1~VD4兩端的電壓波形??梢?,在均衡工作起始階段,VD1的導(dǎo)通時(shí)間最長,因此Cs1上得到的能量最多,電壓上升最快,而隨著均衡電路的工作,各單體電壓趨于一致,VD1~VD4的導(dǎo)通時(shí)間趨于一致,如圖4b所示。

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          圖4c示出SC組各單體初始電壓為2.5 V,2.2 V,1.5 V,1 V,SC組靜置時(shí),均壓電路工作過程中各單體端電壓波形。均壓電路汲取輔助電源能量,再將能量分配給電壓最低的單體。可見,端電壓最低的單體電壓上升最快,然后速度逐漸降低,直到電壓達(dá)到均衡。但由于輔助電源不斷提供能量,各單體電壓會逐步升高,因此應(yīng)當(dāng)在完成均壓后立即斷開均壓電路。

          5 結(jié)論
          實(shí)驗(yàn)結(jié)果驗(yàn)證了提出的基于多段式Zetas的均壓電路可以滿足快速均壓要求,且該電路只需工作在電流斷續(xù)狀態(tài)下,無需閉環(huán)控制,使系統(tǒng)更為簡單可靠。該均壓方案可應(yīng)用于微電網(wǎng),超級電容儲能裝置或蓄電池儲能裝置。

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