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          為輕載工作而設(shè)計(jì)的非同步降壓穩(wěn)壓器

          作者: 時(shí)間:2012-07-03 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          通常情況下,降壓針對(duì)的是連續(xù)模式,這就簡化了輸出電壓計(jì)算及系統(tǒng)。然而,如果系統(tǒng)非,而且要求在輕載條件下,情況就變得更復(fù)雜了。在這些條件下,降壓可能轉(zhuǎn)而采用不連續(xù)模式。占空比從輸出電壓與輸入電壓之比(Vout/Vin)變?yōu)樯婕半姼兄怠⑤斎腚妷?、開關(guān)頻率及輸出電流的一項(xiàng)復(fù)雜函數(shù)。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/176769.htm

          正常工作

          圖1顯示了系統(tǒng)上電時(shí)降壓之降壓控制器的浮動(dòng)門驅(qū)動(dòng)器輸出驅(qū)動(dòng)器段。參考電壓Vref(此單獨(dú)電源用于提升能效)為NFET門驅(qū)動(dòng)器供電,直至二極管電壓降低于參考電壓,使驅(qū)動(dòng)器能夠完全工作。有足夠的電壓來驅(qū)動(dòng)FET的門極(G),因?yàn)槌跏紬l件規(guī)定輸出為0V,因此FET(Q1)的源極(S)電壓也為0V。

          圖1,電期間的降壓穩(wěn)壓器。
          圖1,電期間的降壓穩(wěn)壓器。

          反激

          足夠的負(fù)載使系統(tǒng)在連續(xù)模式下能夠恰當(dāng)工作。在由FET關(guān)閉導(dǎo)致反激事件期間(參見圖2),始終有電流通過外部FET或D2流至電感。反激事件在Q1的源極產(chǎn)生受D2壓降限制的電壓。將會(huì)有對(duì)地的負(fù)電壓。同樣,因?yàn)樯龎弘娙?Cboost)的開關(guān)提升了門電壓,有足夠的電壓來驅(qū)動(dòng)Q1;升壓電容向后為升壓(Boost)引腳提供高壓,并為Q1源極(S)提供了相應(yīng)的負(fù)電壓。

          圖2,反激條件。
          圖2,反激條件。

          過渡

          在平均電流需求低于電流紋波一半等輕載條件期間,系統(tǒng)將進(jìn)入不連續(xù)模式。這是由要驅(qū)動(dòng)受二極管(D2)反向限制的輸出電流的條件導(dǎo)致的。輸出很可能過沖(原因是控制環(huán)路的響應(yīng)時(shí)間較慢),并在過沖位置懸停(hang),且因較高電壓導(dǎo)致缺乏需求而錯(cuò)過脈沖,這時(shí)的工作通常有點(diǎn)不可預(yù)測。

          問題所在

          但在我們審視的電路設(shè)置方面還有更多須顧慮的問題。在Q1關(guān)閉后,升壓電容(Cboost)開始通過升壓引腳放電(Iboost),為任何支撐電路提供電流,并通過D1提供漏電流(Ileakage),如圖3所示。Q1在不連續(xù)模式下延長的關(guān)閉時(shí)間開始為升壓電容中積累的電荷放電,并在允許電荷下降得足夠多的情況下,使其下降到臨界水平。一旦超過臨界水平,就會(huì)使Q1 FET不能導(dǎo)通(可能因元件而異,但通常是升壓電容電壓約為3V)。FET的源極大致維持在其穩(wěn)壓電壓(圖3中為8V,取決于

          輸出負(fù)載及輸出電容Cout值)。在輸出電容充足放電、為Q1源極提供相對(duì)于由經(jīng)D1的升壓引腳電壓(6V-D1)足夠低的電壓之后,Q1才會(huì)導(dǎo)通。

          圖3,升壓電容放電。
          圖3,升壓電容放電。

          結(jié)論

          人員應(yīng)當(dāng)在所有負(fù)載條件下,對(duì)開關(guān)電源設(shè)計(jì)進(jìn)行審慎評(píng)估??紤]的因素包括過溫。高溫將產(chǎn)生漏電流更大的環(huán)境。流入升壓引腳的電流溫度系數(shù)未知,因此,設(shè)計(jì)人員也需要檢查低溫條件。還應(yīng)當(dāng)在最壞情況評(píng)估仿真過程中使用此結(jié)果,完成系統(tǒng)評(píng)估,確定最小電容值。細(xì)致的設(shè)計(jì)也能夠?yàn)橛?jì)算增添工程緩沖。

          本文中所重點(diǎn)探討問題的應(yīng)對(duì)方案包括:

          1. 增加升壓電容(Cboost)值,消除低壓放電事件。

          2. 轉(zhuǎn)向使用對(duì)地參考的門驅(qū)動(dòng)器的元器件。

          3. 修改設(shè)計(jì),使其工作。

          4. 改變連接D1的參考電壓(提高電壓)。

          5. 采用低泄漏肖特基二極管替代D1。



          評(píng)論


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