近來， LLC拓撲以其高效，高功率密度受到廣大電源設(shè)計工程師的青睞，但是這種軟開關(guān)拓撲對MOSFET的要求卻超過了以往任何一種硬開關(guān)拓撲。特別是在電源啟機，動態(tài)負載，過載，短路等情況下。Infineon CoolMOS CFD2系列以其高擊穿電壓，快恢復(fù)體二極管，低Qg 和Coss能夠完全滿足這些需求并大大提升電源系統(tǒng)的可靠性。

1. 引言

長期以來， 提升電源系統(tǒng)功率密度，效率以及系統(tǒng)的可靠性一直是研發(fā)人員面臨的重大課題。 提升電源的開關(guān)頻率是其中的方法之一， 但是頻率的提升會影響到功率器件的開關(guān)損耗，使得提升頻率對硬開關(guān)拓撲來說效果并不十分明顯，硬開關(guān)拓撲已經(jīng)達到了它的設(shè)計瓶頸。而此時，軟開關(guān)拓撲，如LLC拓撲以其獨具的特點受到廣大設(shè)計工程師的追捧。但是… 這種拓撲卻對功率器件提出了新的要求。

2. LLC 電路的特點

LLC 拓撲的以下特點使其廣泛的應(yīng)用于各種開關(guān)電源之中：

1. LLC 轉(zhuǎn)換器可以在寬負載范圍內(nèi)實現(xiàn)零電壓開關(guān)。

2. 能夠在輸入電壓和負載大范圍變化的情況下調(diào)節(jié)輸出，同時開關(guān)頻率變化相對很小。

3. 采用頻率控制，上下管的占空比都為50%.

4. 減小次級同步整流MOSFET的電壓應(yīng)力，可以采用更低的電壓MOSFET從而減少成本。

5. 無需輸出電感，可以進一步降低系統(tǒng)成本。

6. 采用更低電壓的同步整流MOSFET, 可以進一步提升效率。

3. LLC 電路的基本結(jié)構(gòu)以及工作原理

圖1和圖2分別給出了LLC諧振變換器的典型線路和工作波形。如圖1所示LLC轉(zhuǎn)換器包括兩個功率MOSFET(Q1和Q2)，其占空比都為0.5;諧振電容Cr,副邊匝數(shù)相等的中心抽頭變壓器Tr,等效電感Lr,勵磁電感Lm,全波整流二極管D1和D2以及輸出電容Co。

圖1 LLC諧振變換器的典型線路

圖2 LLC諧振變換器的工作波形

而LLC有兩個諧振頻率，Cr, Lr 決定諧振頻率fr1; 而Lm, Lr, Cr決定諧振頻率fr2。

系統(tǒng)的負載變化時會造成系統(tǒng)工作頻率的變化，當(dāng)負載增加時， MOSFET開關(guān)頻率減小， 當(dāng)負載減小時，開關(guān)頻率增大。

3.1 LLC諧振變換器的工作時序

LLC變換器的穩(wěn)態(tài)工作原理如下。

1)〔t1,t2〕

Q1關(guān)斷，Q2開通，電感Lr和Cr進行諧振，次級D1關(guān)斷，D2開通，二極管D1約為兩倍輸出電壓，此時能量從Cr, Lr轉(zhuǎn)換至次級。直到Q2關(guān)斷。

2)〔t2,t3〕

Q1和Q2同時關(guān)斷，此時處于死區(qū)時間， 此時電感Lr, Lm電流給Q2的輸出電容充電，給Q1的輸出電容放電直到Q2輸出電容的電壓等于Vin.

次級D1和D2關(guān)斷 Vd1=Vd2=0, 當(dāng)Q1開通時該相位結(jié)束。

3)〔t3,t4〕

Q1導(dǎo)通，Q2關(guān)斷。D1導(dǎo)通， D2關(guān)斷， 此時Vd2=2Vout

Cr和Lr諧振在fr1, 此時Ls的電流通過Q1返回到Vin,直到Lr的電流為零次相位結(jié)束。

4)〔t4,t5〕

Q1導(dǎo)通， Q2關(guān)斷， D1導(dǎo)通， D2關(guān)斷，Vd2=2Vout

Cr和Lr諧振在fr1, Lr的電流反向通過Q1流回功率地。 能量從輸入轉(zhuǎn)換到次級，直到Q1關(guān)斷該相位結(jié)束

5)〔t5,t6)

Q1,Q2同時關(guān)斷， D1,D2關(guān)斷， 原邊電流I(Lr+Lm)給Q1的Coss充電， 給Coss2放電， 直到Q2的Coss電壓為零。 此時Q2二極管開始導(dǎo)通。 Q2開通時相位結(jié)束。

6)〔t6,t7〕

Q1關(guān)斷，Q2導(dǎo)通，D1關(guān)斷， D2 開通，Cr和Ls諧振在頻率fr1, Lr 電流經(jīng)Q2回到地。 當(dāng)Lr電流為零時相位結(jié)束。

3.2 LLC諧振轉(zhuǎn)換器異常狀態(tài)分析

以上描述都是LLC工作在諧振模式， 接下來我們分析LLC轉(zhuǎn)換器在啟機， 短路， 動態(tài)負載下的工作情況。

3.21 啟機狀態(tài)分析

通過LLC 仿真我們得到如圖3所示的波形，在啟機第一個開關(guān)周期，上下管會同時出現(xiàn)一個短暫的峰值電流Ids1 和Ids2. 由于MOSFET Q1開通時會給下管Q2的輸出電容Coss充電，當(dāng)Vds為高電平時充電結(jié)束。而峰值電流Ids1和Ids2也正是由于Vin通過MOSFET Q1 給Q2 結(jié)電容Coss的充電而產(chǎn)生。

圖3 LLC 仿真波形

我們將焦點放在第二個開關(guān)周期時如圖4,我們發(fā)現(xiàn)此時也會出現(xiàn)跟第一個開關(guān)周期類似的尖峰電流，而且峰值會更高，同時MOSFET Q2 Vds也出現(xiàn)一個很高的dv/dt峰值電壓。那么這個峰值電流的是否仍然是Coss引起的呢? 我們來做進一步的研究。

圖4 第二個開關(guān)周期波形圖