此處，Pcv = Pt / 2Ve Pt = 1.3AP1*

作為替代,在此情況下,AP由AP2代替,Bmax由設計師固定0.4T。

選擇初級圈數(shù)Np = 60。圈數(shù)比n = Np / Ns，由二次窗口及圈數(shù)定出。

占空比 D = 0.5 選擇n = 12，二次Ns = 5

*圈數(shù)比n可以足夠高，高于[18]式，因為有Lmag效應。

**二次繞組相應為Ns = 5+5，這是由于中心抽頭式整流。

為了限制趨膚效應,（帶來固有功耗）Litz的導線解決方案被采用。

——20*0.1mm導線放于初級側（0.157mm*2）

——60*0.1mm導線放于二次側（0.47mm*2）

由于初次級側繞組設定，我們需要固定變壓器電感。公式[19]可以計算并很好地得出在磁心參數(shù)及氣隙長度的條件下的初級電感量。它是磁心參數(shù)及初級圈數(shù)及氣隙的函數(shù)。

此處，uo = 4*3.14*10-7 為空氣的磁導率。ur為相對磁導率。

Le為磁路長度(cm) Ae為磁心有效截面積(cm),Lgap 為氣隙長度(mm).

計算初級電感為mH。在本文情況下為L = 0.85mH

考慮漏感，在標準正向應用的變壓器中不是很精確的。(主要因機械位置)，近似值可以用下面公式得出：

此處為270uH

這里，lw = 5.6cm bw = 0.5cm hw = 1.55cm

在此例的實際變壓器中，漏感約240uH,(在變壓器的二次短路時測初級得出)。如前所述，在磁心中插入一個氣隙，可以控制初級電感及漏感的比值，選擇氣隙為0.33mm, 得到Lm/Ls = 3.5的比值。

諧振電容

對諧振電容的選擇必須考慮其比率電流，對于低的電容值, 在實際上，電流能夠被限制。在一個聚丙烯串聯(lián)電容中，它通?？梢哉业揭粋€合適的元件。另一方面，對給定的諧振值（見圖21），見諧振曲線的縱剖面。(Q因子，其為(Lres/Cres)1/2的函數(shù))這樣，阻抗的改變隨頻率變。在我們的設計中，選為22nF / 630V PHE-100*C

圖21 Q值的選擇

功率MOSFET

功率MOSFET用于半橋需要耐壓為500V選擇STP4NB50。

相關參數(shù)可以用于計算

此處，I qpk為初極側電流峰值。

由于Lm/Ls比值為變壓器初極側電流管理不可忽略的部分，它不會被傳至負載。因此,用此式計算初極電流其結果將比測量值低得多。

測試結果見圖22。

圖22 I（Q）+I ces 特性

阻塞電容C-bulk

設計公式如下：

此處，T hold為所需的保持時間。Vo min為正常工作的最小電壓。

選擇阻塞電容的關鍵點是按如下順序，承受電壓，100Hz紋波下的電容值，保持時間，再看一下PFC文件。

選擇C bulk = 33uF/450V 容許+/--9V電壓紋波，沒有固定任何保持時間。

控制電路

輸出電壓及電流的控制與兩個使用TSM103(雙運放及基準)的環(huán)路有關。該元件還加上光耦。允許執(zhí)行對輸出電壓和電流兩者完整的控制?？刂茀?shù)隨頻率的變化為流行的R f min，見器件工作頁3。