摘要 分析了以動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管作為輸入信號(hào)的輸入晶體管，利用4個(gè)動(dòng)態(tài)閾值NMOS和2個(gè)有源電阻設(shè)計(jì)和實(shí)現(xiàn)的一種1．2 V低功耗CMOS模擬乘法器電路。該電路具有節(jié)省輸入晶體管數(shù)目、偏置晶體管和偏置電路，以及性能指標(biāo)優(yōu)良的特點(diǎn)。其主要參數(shù)指標(biāo)達(dá)到：一、三次諧波差值40 dB，輸出信號(hào)頻帶寬度375 MHz，平均電源電流約30μA，動(dòng)態(tài)功耗約36μW?？芍苯討?yīng)用于低功耗通信集成電路設(shè)計(jì)。
關(guān)鍵詞 模擬乘法器；動(dòng)態(tài)閾值晶體管；低壓；低功耗；金屬氧化物半導(dǎo)體

隨著便攜式電子產(chǎn)品的不斷發(fā)展，以及各國對節(jié)能的嚴(yán)格要求，低功耗集成電路及電子系統(tǒng)已經(jīng)成為技術(shù)發(fā)展的方向之一，而低電源電壓是實(shí)現(xiàn)低功耗最直接有效的方法，其中CMOS模擬集成電路的低壓低功耗設(shè)計(jì)是實(shí)現(xiàn)低壓低功耗集成電路的難點(diǎn)。模擬乘法器作為模擬電路中最基本的電路之一，在自適應(yīng)濾波器、頻率倍增器、各種調(diào)制解調(diào)器等電子系統(tǒng)中具有廣泛的應(yīng)用。傳統(tǒng)的模擬乘法器—般采用Gilbert結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，由于電源到地的通路上至少有3～4個(gè)晶體管，沒有辦法實(shí)現(xiàn)低壓低功耗，必須采用新的電路結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)。
采用動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管作為兩路輸入信號(hào)的輸入晶體管，節(jié)省了輸入晶體管和偏置晶體管的數(shù)目，實(shí)現(xiàn)了低壓低功耗的目的。文中首先對動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管的特性進(jìn)行了系統(tǒng)分析，包括跨導(dǎo)、頻率特性等，再提出了一種基于動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管的1．2 V CMOS模擬乘法器，并進(jìn)行了性能分析，采用Hspice進(jìn)行了各種參數(shù)的仿真，對仿真結(jié)果進(jìn)行了比較分析和討論。

1 動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管
所提出的動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管的工藝基礎(chǔ)是傳統(tǒng)標(biāo)準(zhǔn)雙阱CMOS工藝或P阱CMOS工藝，其特點(diǎn)是兩個(gè)輸入信號(hào)同時(shí)加到NMOS的柵極(G)和襯底(B)端，即輸入電壓為VGS和VBS，不需要引入特殊的工藝步驟。當(dāng)NMOS的VBS=0時(shí)，就是常用的準(zhǔn)恒定閾值電壓增強(qiáng)型NMOS晶體管，如果VGS和VBS同時(shí)在變化，而VBS的變化直接會(huì)影響VTH(N)變化。式(1)是當(dāng)VGS一定時(shí)，NMOS閾值電壓VTH(N)與VBS的關(guān)系，表明當(dāng)VBS增大時(shí)，VTH(N)會(huì)隨之減小，所以動(dòng)態(tài)閾值是實(shí)現(xiàn)CMOS模擬電路低壓化的理想技術(shù)之一。

其中，VTH0(N)是VBS=0時(shí)的NMOS閾值電壓，φF為表面電動(dòng)勢，γ為體效應(yīng)因子。
當(dāng)動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管滿足VDS≥VGS-VTH(N)時(shí)，即晶體管工作在飽和區(qū)，IDS與VGS、VBS之間的關(guān)系如式(2)所示。

基于CSMC 0．6 μm DPDM CMOS工藝的BSIM3V3 Spice模型，采用Hspice進(jìn)行仿真，以驗(yàn)證動(dòng)態(tài)閾值NMOS晶體管的V-I特性。圖1為不同VBS條件下的VDS～I(xiàn)DS關(guān)系曲線VGS=1．2 V，自下而上5條曲線所對應(yīng)的VBS分別為0 V、0．3 V、0．6 V、0．9 V和1．2 V，表明在相同VDS條件下IDS隨著VBS的不斷增大而增大。圖2為不同VGS條件下的VBS～I(xiàn)DS關(guān)系曲線VDS=1．2 V，自下而上7條曲線所對應(yīng)的VGS分別為0 V、0．2 V、0．4 V、0．6 V、0．8 V、1．0 V和1．2 V，其中VGS為0 V、0．2 V、0．4 V的3條曲線由于IDS數(shù)值太小，已與橫坐標(biāo)幾乎重合，圖2表明在相同VBS條件下IDS隨著VGS的不斷增大而增大。

將式(2)分別對VBS和VGS求偏導(dǎo)，即可以得到

由于體效應(yīng)因子γ的值較小，所以gmbsgm，但VBS的增加，則可以增加gmbs。