低成本和高可靠性是離線電源設計中兩個最重要的目標。準諧振 (Quasi resonant) 設計為設計人員提供了可行的方法，以實現(xiàn)這兩個目標。準諧振技術降低了MOSFET的開關損耗，從而提高可靠性。此外，更軟的開關改善了電源的EMI特性，允許設計人員減少使用濾波器的數(shù)目，因而降低成本。本文將描述準諧振架構背后的理論及其實施，并說明這類反激式電源的使用價值。

　　基本知識

　　現(xiàn)有的L-C 儲能電路正戰(zhàn)略性地用于PWM電源中。結果是L-C 儲能電路的諧振效應能夠“軟化”開關器件的轉換。這種更軟的轉換將降低開關損耗及與硬開關轉換器相關的EMI。由于諧振電路僅在相當于其它傳統(tǒng)方波轉換器的開關轉換瞬間才起作用，故而有 “準諧振”之名。

　　要理解這種設計的拓撲結構，必須了解MOSFET和變壓器的寄生特性。MOSFET包含若干個寄生電容，主要從器件的物理結構產生。它們可以數(shù)學方式簡化為MOSFET輸入電容CISS和MOSFET輸出電容COSS，這里

　　CISS = CGS + CDG

　　COSS = CDS + CDG

　　在硬開關轉換器中，輸出電容COSS是開關損耗的主要來源。

　　圖1 MOSFET輸入和輸出電容

　　圖2 變壓器的寄生電容

　　變壓器也包含了寄生電容(圖2)。這些電容包括繞組間電容和層間電容，它們可以一起轉型為單一的電容CW，也是硬開關轉換器開關損耗的主要來源。

　　硬開關轉換器中的寄生電容

　　圖3示出傳統(tǒng)硬開關反激式轉換器。在這種傳統(tǒng)的間斷模式反激式轉換器 (DCM) 的停滯時間期間，寄生電容將與VDC周圍的主要電感發(fā)生振蕩。寄生電容上的電壓會隨振蕩而變化，但始終具有相當大的數(shù)值。當下一個時鐘周期的MOSFET 導通時間開始時，寄生電容 (COSS和CW) 會通過MOSFET放電，產生很大的電流尖峰。由于這個電流出現(xiàn)時MOSFET存在一個很大的電壓，該電流尖峰因此會做成開關損耗。此外，電流尖峰含有大量的諧波含量，從而產生EMI。

　　準諧振反激式設計的實現(xiàn)

　　如果不用固定的時鐘來初始化導通時間，而利用檢測電路來有效地“感測”MOSFET (VDS) 漏源電壓的第一個最小值或谷值，并僅在這時啟動MOSFET導通時間，情況又會如何?結果會是由于寄生電容被充電到最小電壓，導通的電流尖峰將會最小化。這情況常被稱為谷值開關 (Valley Switching) 或準諧振開關。在某些條件下，設計人員甚至可能獲得零電壓開關 (ZVS)，即當MOSFET被激活時沒有漏源電壓。在這情況下，由于寄生電容沒有充電，因此電流尖峰不會出現(xiàn)。這種電源本身是由線路/荷載條件決定的可變頻率系統(tǒng)。換言之，調節(jié)是通過改變電源的工作頻率來進行，不管當時負載或線路電壓是多少，MOSFET始終保持在谷底的時候導通。這類型的工作介于連續(xù) (CCM) 和間斷條件模式 (DCM) 之間。因此，以這種模式工作的轉換器被稱作在邊界條件模式 (BCM) 下工作。

　　圖3 硬開關反激式轉換器

上一頁 1 2 下一頁