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          最新全能數(shù)控電源IC―ADP1043A(三)

          作者: 時(shí)間:2011-08-22 來(lái)源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          摘要:隨著數(shù)字技術(shù)的發(fā)展和成熟,產(chǎn)品更多地向數(shù)字化方向發(fā)展。采用數(shù)字技術(shù)可減小高頻諧波干擾和非線性失真,同時(shí)便于CPU數(shù)字化控制。文中重點(diǎn)介紹了的功能、原理及具體應(yīng)用細(xì)節(jié)。的創(chuàng)新架構(gòu)能支持多種拓?fù)浣Y(jié)構(gòu),其圖形化的操作界面、豐富的監(jiān)控和管理功能,非常方便技術(shù)人員操作,也改變了以往對(duì)數(shù)字的認(rèn)識(shí)。
          關(guān)鍵詞:;EEPROM;OrFET控制;同步整流(上接第6期)

          2.16 OrFET控制
          柵控制信號(hào)驅(qū)動(dòng)外部的OrFET。OrFET的柵控用從另外一個(gè)電源浮動(dòng)入本電源的來(lái),這可以確保功率電流僅從電源輸出端給出且為插線模式。OrFET電路僅在ADP1043A接到低邊檢測(cè)電阻時(shí)才使用,OrFET電路對(duì)高邊電流檢測(cè)時(shí)沒(méi)有用處。
          GATE端為一個(gè)漏極開(kāi)路的N溝MOSFET。推薦外部使用2.2kΩ上控電阻,其輸出通常為高,以保持OrFET關(guān)斷,當(dāng)啟動(dòng)電路實(shí)現(xiàn)以后,GATE輸出拉底,允許OrFET導(dǎo)通。OrFET導(dǎo)通和關(guān)斷閾值可以獨(dú)立調(diào)節(jié),GATE輸出是CMOS電平(0~3.3V),需要一個(gè)外部驅(qū)動(dòng)器來(lái)開(kāi)關(guān)該MOSFET。
          OnMOSFET可以用三種方法關(guān)斷:故障標(biāo)志、快速OrFET控制電路、精確的OrFET控制電路。
          快速OrFET控制有反向電壓跨越CS2+和CS2-用一個(gè)模擬比較器執(zhí)行,如圖10所示。如果CS2+和CS2-之間的電壓差大于快速OrFET的閾值,調(diào)節(jié)寄存器0*30,OrFET即可關(guān)斷。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/178710.htm

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          精確的OrFET控制還是用跨越CS2+和CS2-的反轉(zhuǎn)電壓去禁止OrFET。如果CS2+和CS2-之間的電壓差大于OmV,則OrFET也被禁止,精確的OrFET電路可以更精確,但要比快速的OrFET電流慢。OrFET導(dǎo)通電路要有VS1和VS2之間的電壓差,當(dāng)從VS1到VS2的正向壓降大于OrFET使能閾值時(shí),則OrFET使能。OrFET的使能閾值可以設(shè)置到正常輸出電壓的-0.5%、0%、1%或者2%。


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