散熱仿真是開發(fā)電源產(chǎn)品以及提供產(chǎn)品材料指南一個重要的組成部分。
優(yōu)化模塊外形尺寸是終端設(shè)備設(shè)計的發(fā)展趨勢，這就帶來了從金屬散熱片向 PCB 覆銅層散熱管理轉(zhuǎn)換的問題。當(dāng)今的一些模塊均使用較低的開關(guān)頻率，用于開關(guān)模式電源和大型無源組件。對于驅(qū)動內(nèi)部電路的電壓轉(zhuǎn)換和靜態(tài)電流而言，線性穩(wěn)壓器的效率較低。
隨著功能越來越豐富，性能越來越高，設(shè)備設(shè)計也變得日益緊湊，這時 IC 級和系統(tǒng)級的散熱仿真就顯得非常重要了。
一些應(yīng)用的工作環(huán)境溫度為 70 到 125C，并且一些裸片尺寸車載應(yīng)用的溫度甚至高達 140C，就這些應(yīng)用而言，系統(tǒng)的不間斷運行非常重要。進行電子設(shè)計優(yōu)化時，上述兩類應(yīng)用的瞬態(tài)和靜態(tài)最壞情況下的精確散熱分析正變得日益重要。
散熱管理
散熱管理的難點在于要在獲得更高散熱性能、更高工作環(huán)境溫度以及更低覆銅散熱層預(yù)算的同時，縮小封裝尺寸。高封裝效率將導(dǎo)致產(chǎn)生熱量組件較高的集中度，從而帶來在 IC 級和封裝級極高的熱通量。
系統(tǒng)中需要考慮的因素包括可能會影響分析器件溫度、系統(tǒng)空間和氣流設(shè)計/限制條件等其他一些印刷電路板功率器件。散熱管理要考慮的三個層面分別為：封裝、電路板和系統(tǒng)（請參見圖 1）。

圖 1 IC 封裝中典型的熱傳遞路徑
低成本、小外形尺寸、模塊集成和封裝可靠性是選擇封裝時需要考慮的幾個方面。由于成本成為關(guān)鍵的考慮因素，因此基于引線框架的散熱增強封裝正日益受到人們的青睞。這種封裝包括內(nèi)嵌散熱片或裸露焊盤和均熱片型封裝，設(shè)計旨在提高散熱性能。在一些表面貼裝封裝中，一些專用引線框架在封裝的每一面均熔接幾條引線，以起到均熱器的作用。這種方法為裸片焊盤的熱傳遞提供了較好的散熱路徑。
IC 與封裝散熱仿真
散熱分析要求詳細、準確的硅芯片產(chǎn)品模型和外殼散熱屬性。半導(dǎo)體供應(yīng)商提供硅芯片 IC 散熱機械屬性和封裝，而設(shè)備制造商則提供模塊材料的相關(guān)信息。產(chǎn)品用戶提供使用環(huán)境資料。
這種分析有助于 IC 設(shè)計人員對電源 FET 尺寸進行優(yōu)化，以適用于瞬態(tài)和靜態(tài)運行模式中的最壞情況下的功耗。在許多電源電子 IC 中，電源 FET 都占用了裸片面積相當(dāng)大的一部分。散熱分析有助于設(shè)計人員優(yōu)化其設(shè)計。
選用的封裝一般會讓部分金屬外露，以此來提供硅芯片到散熱器的低散熱阻抗路徑。模型要求的關(guān)鍵參數(shù)如下：
硅芯片尺寸縱橫比和芯片厚度。
功率器件面積和位置，以及任何發(fā)熱的輔助驅(qū)動電路。
電源結(jié)構(gòu)厚度（硅芯片內(nèi)分散情況）。
硅芯片連接至外露金屬焊盤或金屬突起連接處的裸片連接面積與厚度?？赡馨闫B接材料氣隙百分比。
外露金屬焊盤或金屬突起連接處的面積和厚度。
使用鑄模材料和連接引線的封裝尺寸。
需提供模型所用每一種材料的熱傳導(dǎo)屬性。這種數(shù)據(jù)輸入還包括所有熱傳導(dǎo)屬性的溫度依賴性變化，這些傳導(dǎo)屬性具體包括：
硅芯片熱傳導(dǎo)性
裸片連接、鑄模材料的熱傳導(dǎo)性
金屬焊盤或金屬突起連接處的熱傳導(dǎo)性。
封裝類型 (package product) 和 PCB 相互作用
散熱仿真的一個至關(guān)重要的參數(shù)是確定焊盤到散熱片材料的熱阻，其確定方法主要有以下幾種：
多層 FR4 電路板（常見的為四層和六層電路板）
單端電路板
頂層及底層電路板
散熱和熱阻路徑根據(jù)不同的實施方法而各異：
連接至內(nèi)部散熱片面板的散熱焊盤或突起連接處的散熱孔。使用焊料將外露散熱焊盤或突起連接處連接至 PCB 頂層。
位于外露散熱焊盤或突起連接處下方 PCB 上的一個開口，可以和連接至模塊金屬外殼的伸出散熱片基座相連。
利用金屬螺釘將散熱層連接至金屬外殼的 PCB 頂部或底部覆銅層上的散熱片。使用焊料將外露散熱焊盤或突起連接處連接至 PCB 的頂層。
另外，每層 PCB 上所用鍍銅的重量或厚度非常關(guān)鍵。就熱阻分析而言，連接至外露焊盤或突起連接處的各層直接受這一參數(shù)的影響。一般而言，這就是多層印刷電路板中的頂部、散熱片和底部層。
大多數(shù)應(yīng)用中，其可以是兩盎司重的覆銅（2 盎司銅=2.8 mils 或 71 µm）外部層，以及1盎司重的覆銅（1盎司銅= 1.4 mils 或 35 µm）內(nèi)部層，或者所有均為 1 盎司重的覆銅層。在消費類電子應(yīng)用中，一些應(yīng)用甚至?xí)褂?0.5 盎司重的覆銅（0.5 盎司銅 = 0.7 mils 或 18 µm）層。
模型資料
仿真裸片溫度需要一張 IC 平面布置圖，其中包括裸片上所有的電源 FET 以及符合封裝焊接原則的實際位置。
每一個 FET 的尺寸和縱橫比，對熱分布都非常重要。需要考慮的另一個重要因素是 FET 是否同時或順序上電。模型精度取決于所使用的物理數(shù)據(jù)和材料屬性。
模型的靜態(tài)或平均功耗分析只需很短的計算時間，并且一旦記錄到最高溫度時便出現(xiàn)收斂。
瞬態(tài)分析要求功耗－時間對比數(shù)據(jù)。我們使用了比開關(guān)電源情況更好的解析步驟來記錄數(shù)據(jù)，以精確地對快速功率脈沖期間的峰值溫度上升進行捕獲。這種分析一般費時較長，且要求比靜態(tài)功率模擬更多的數(shù)據(jù)輸入。
該模型可仿真裸片連接區(qū)域的環(huán)氧樹脂氣孔，或 PCB 散熱板的鍍層氣孔。在這兩種情況下，環(huán)氧樹脂/鍍層氣孔都會影響封裝的熱阻（請參見圖 2）。