如何減少電源損耗實(shí)現(xiàn)電源效率最大化
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圖 1 調(diào)節(jié) MOSFET 裸片面積來最小化滿負(fù)載功率損耗圖 2 是圍繞圖 1 最佳點(diǎn)的三種可能設(shè)計(jì)效率圖。圖中分別顯示了三種設(shè)計(jì)的正常裸片面積。輕負(fù)載情況下，較大面積裸片的效率會(huì)受不斷增加的驅(qū)動(dòng)損耗影響，而在重負(fù)載條件下小尺寸器件因高傳導(dǎo)損耗而變得不堪重負(fù)。這些曲線代表裸片面積和成本的三比一變化，注意這一點(diǎn)非常重要。正常芯片面積設(shè)計(jì)的效率只比滿功率大面積設(shè)計(jì)的效率稍低一點(diǎn)，而在輕載條件下(設(shè)計(jì)常常運(yùn)行在這種負(fù)載條件下)則更高。
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圖 2 效率峰值出現(xiàn)在滿額定電流之前
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