多路輸出單端反激式開關(guān)電源原理及設(shè)計
本文介紹了一種基于TOPSwith系列芯片設(shè)計的小功率多路輸出AC/DC開關(guān)電源的原理及設(shè)計方法。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/180979.htm設(shè)計要求
本文設(shè)計的開關(guān)電源將作為智能儀表的電源,最大功率為10 W。為了減少PCB的數(shù)量和智能儀表的體積,要求電源尺寸盡量小并能將電源部分與儀表主控部分做在同一個PCB上。
考慮10W的功率以及小體積的因素,電路選用單端反激電路。單端反激電路的特點是:電路簡單、體積小巧且成本低。單端反激電路由輸入濾波電路、脈寬調(diào)制電路、功率傳遞電路(由開關(guān)管和變壓器組成)、輸出整流濾波電路、誤差檢測電路(由芯片TL431及周圍元件組成)及信號傳遞電路(由隔離光耦及電阻組成)等組成。本電源設(shè)計成表面貼裝的模塊電源,其具體參數(shù)要求如下:
輸出最大功率:10W
輸入交流電壓:85~265V
輸出直流電壓/電流:+5V,500mA;+12V,150mA;+24V,100mA
紋波電壓:≤120mV
單端反激式開關(guān)電源的控制原理
所謂單端是指TOPSwitch-II系列器件只有一個脈沖調(diào)制信號功率輸出端一漏極D。反激式則指當功率MOSFET導通時,就將電能儲存在高頻變壓器的初級繞組上,僅當MOSFET關(guān)斷時,才向次級輸送電能,由于開關(guān)頻率高達100kHz,使得高頻變壓器能夠快速存儲、釋放能量,經(jīng)高頻整流濾波后即可獲得直流連續(xù)輸出。這也是反激式電路的基本工作原理。而反饋回路通過控制TOPSwitch器件控制端的電流來調(diào)節(jié)占空比,以達到穩(wěn)壓的目的。
TOPSwitch-Ⅱ系列芯片選型及介紹
TOPSwitch-Ⅱ系列芯片的漏極(D)與內(nèi)部功率開關(guān)器件MOSFET相連,外部通過負載電感與主電源相連,在啟動狀態(tài)下通過內(nèi)部開關(guān)式高壓電源提供內(nèi)部偏置電流,并設(shè)有電流檢測。控制極(C)用于占空比控制的誤差放大器和反饋電流的輸入引腳,與內(nèi)部并聯(lián)穩(wěn)壓器連接,提供正常工作時的內(nèi)部偏置電流,同時也是提供旁路、自動重起和補償功能的電容連接點。源極(S)與高壓功率回路的MOSFET的源極相連,兼做初級電路的公共點與參考點。內(nèi)部輸出極MOSFET的占空比隨控制引腳電流的增加而線性下降,控制電壓的典型值為5.7 V,極限電壓為9 V,控制端最大允許電流為100 mA。
在設(shè)計時還對閾值電壓采取了溫度補償措施,以消除因漏源導通電阻隨溫度變化而引起的漏極電流變化。當芯片結(jié)溫大于135℃時,過熱保護電路就輸出高電平,關(guān)斷輸出極。此時控制電壓Vc進入滯后調(diào)節(jié)模式,Vc端波形也變成幅度為4.7V~5.7V的鋸齒波.若要重新啟動電路,需斷電后再接通電路開關(guān),或者將Vc降至3.3V以下,再利用上電復(fù)位電路將內(nèi)部觸發(fā)器置零,使MOSFET恢復(fù)正常工作。
采用TOPSwitch-Ⅱ系列設(shè)計單片開關(guān)電源時所需外接元器件少,而且器件對電路板布局以及輸入總線瞬變的敏感性大大減少,故設(shè)計十分方便,性能穩(wěn)定,性價比更高。
對于芯片的選擇主要考慮輸入電壓和功率。由設(shè)計要求可知,輸入電壓為寬范圍輸入,輸出功率不大于10W,故選擇TOP222G。
電路設(shè)計
本開關(guān)電源的原理圖如圖1所示。
電源主電路為反激式,C1、L1、C2,接在交流電源進線端,用于濾除電網(wǎng)干擾,C5接在高壓和地之間,用于濾除高頻變壓器初、次級后和電容產(chǎn)生的共模干擾,在國際標準中被稱為Y電容。C1跟C5都稱作安全電容,但C1專門濾除電網(wǎng)線之間的串模干擾,被稱為X電容。
為承受可能從電網(wǎng)線竄入的電擊,可在交流端并聯(lián)一個標稱電壓u1mA為275V的壓敏電阻VSR。
鑒于在功率MOSFET關(guān)斷的瞬間,高頻變壓器的漏感產(chǎn)生尖峰電壓UL,另外,在原邊上會產(chǎn)生感應(yīng)反向電動勢UOR,二者疊加在直流輸入電壓上。典型的情況下,交流輸入電壓經(jīng)整流橋整流后,其最高電壓UImax=380V,UL≈165V,UOR=135V,貝UOR+UL+UOR≈680V。這就要求功率MOSFET至少能承受700V的高壓,同時還必須在漏極增加鉗位電路,用以吸收尖峰電壓,保護TOP222G中的功率MOSFET。本電源的鉗位電路由D2、D3組成。其中D2為瞬態(tài)電壓抑制器(TVS)P6KE200,D3為超快恢復(fù)二極管UF4005。當MOSFET導通時,原邊電壓上端為正,下端為負,使得D3截止,鉗位電路不起作用。在MOSFET截止瞬間,原邊電壓變?yōu)橄露藶檎隙藶樨?,此時D1導通,電壓被限制在200V左右。
評論