晶體管低頻放大器詳述
各種類型低頻放大器,主要特點是,工作頻率范圍寬,放大信號的中心頻率從幾十赫至幾百千赫;這類放大器通常處于低頻多級放大器的前幾級,故稱前置放大器,它的輸入信號幅度很小,約幾到幾十毫伏或甚至更小,所以屬于小信號放大器。
本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/187004.htm1、分類
由于放大器的用途十分廣泛,為了適用不同領域要求,其種類甚多,表5.2-1為放大器分類表。
表5.2-1 放大器分類表
2、主要性能參數(shù)
在分析放大器性能時,通常把具體放大畫成等效方框圖,如圖5.2-1所示。放大器性能參數(shù)示于表5.2-2。
圖5.2-1 放大器等效方框圖
表5.-2-2 放大器性能參數(shù)
3、偏置穩(wěn)定電路
晶體管放大器的線性放大特性與靜態(tài)工作點的位置及其穩(wěn)定性有密切關系,而靜態(tài)工作點又是由偏置電路決定的,所以穩(wěn)定偏置電路是放大器的重要方面,當溫度等外界因素變化時,嚴格地講,幾乎所有的晶體管參數(shù)都要發(fā)生變化,特別是對電流放大系數(shù)B、集基極反向飽和電流ICBO及基--射極門限電壓UBEO的影響更為顯著。這三個參數(shù)隨著溫度的變化稱為溫度漂移,即分別是B的溫度漂移、ICBO的溫度漂移和UBEO的溫度漂移,詳細分析見參考文獻(5)。溫度漂移最終表現(xiàn)在IC的變化上,因此穩(wěn)偏置電路應使IC保持不變,穩(wěn)定的原理常采用負反饋原理和補償原理。表5.2-3示出常用的幾種偏置電路。
4、基本分析方法
晶體管低頻小信號放大器是在晶體三極管各電極靜態(tài)工作電壓、電流正確設置的基礎上,實現(xiàn)對輸入信號的線性放大。因此對放大器分析分為兩方面,一是直流分析,就是根據(jù)電子器件和電路元件參數(shù),求出放大器的直流電壓和電流,即輸入端直流電流IBQ(輸入直流電壓VBEQ通常視為數(shù)一硅管為0.7V,鍺管約為0.2V)和輸出端直流電壓UCEQ、直流電流ICQ,這三個量對應輸出特性曲線上一個點稱為直流(或靜態(tài))工作點;另一是交流分析(或稱動態(tài)分析),即在輸入信號作用下求出靜態(tài)工作點上迭加的各極信號電壓和電流,并在此基礎上計算放大性能指示。
(1)直流分析 由于晶體管是非線性器件,精確地進行直流分析是比較復雜的。目前工程上多采用圖解法和近似估算法,兩種方法都建立在確定放大器直流道路的基本上,以下簡要的說明近似估算法(圖解法略)。
在近似估算時,常把晶體管的UBE近似看成已知的常數(shù),如果已知晶體管的B、ICBO和電路的元件參數(shù),則根據(jù)放大器的直流通路和晶體管的直流電流傳輸方程,可以估算出放大器的靜態(tài)工作點。圖5.2-3示出固定偏置共發(fā)放大器的直流通路。
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