摘要 利用一種新型HBT復合晶體管結構設計了一款寬帶功率放大器，有效抑制了HBT的大信號Kink效應。采用微波仿真軟件AWR對電路結構進行了優(yōu)化和仿真，結果顯示，在5～12 GHz頻帶內，復合晶體管結構的輸出阻抗值更穩(wěn)定，帶寬得到有效擴展，最高增益達到11 dB，帶內波動0．5 dB，在9 GHz工作頻率時，其1 dB壓縮點處的輸出功率為26 dBm。

關鍵詞 寬帶匹配；Kink效應；GaAs HBT；復合晶體管

隨著寬帶無線通信系統(tǒng)的不斷發(fā)展，對高靈敏度、大動態(tài)范圍、高效率的寬帶放大器的需求也越來越大，從某種意義上講，寬帶放大器性能的好壞直接決定著微波系統(tǒng)性能的優(yōu)劣。然而在寬帶放大器的設計過程中，砷化鎵異質結雙極型晶體管(HBT)共發(fā)組態(tài)工作模式下的輸出反射系數(shù)S22，在某一頻率將會出現(xiàn)Kink 效應，因此采用HBT實現(xiàn)寬帶放大器時，會給工作頻帶跨越Kink點的寬帶輸出匹配設計帶來難題。目前，有效擴展帶寬的方法有反比例級聯(lián)、并聯(lián)峰值、電容峰值、分布式放大器和fT倍頻器技術等。但這些方法都會不同程度地增加電路的復

雜度，需要占用更多的芯片面積。本文使用一種改善HBT Kink效應的復合晶體管結構來擴展放大器的帶寬，簡化寬帶輸出匹配的設計。

自Shey-Shi Lu，Yo-Sheng Lin等人提出HBT的Kink效應以來，關于該現(xiàn)象的小信號理論分析日臻成熟。文獻提出一種基于負反饋技術的新型HBT復合晶體管結構，能夠有效消除 HBT的小信號Kink效應。但是有關于該現(xiàn)象的大信號研究較為罕見。

文中首先基于AWR軟件研究HBT的大信號Kink效應，其次分別采用新型HBT復合管和普通HBT管(以下分別簡稱復合管、普通管)來完成兩款寬帶功率放大器的設計。通過軟件仿真，結果表明：該新型HBT復合晶體管不但可以有效消除HBT的大信號Kink效應，而且還明顯擴展放大器的帶寬，提高增益帶寬積，簡化輸出端的阻抗匹配設計。

1 新型HBT復合晶體管大信號特性

1．1 HBT的小信號Kink效應

隨著頻率的升高，晶體管自身寄生電容Cce，Cbe，Cbc等對器件性能的影響明顯增加，使得HBT共發(fā)組態(tài)工作模式下的輸出反射系數(shù)S22在某一頻率處出現(xiàn)一拐點，這種現(xiàn)象稱為Kink效應，如圖1所示。另外隨著器件尺寸的增加，Kink效應有增強的趨勢。