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          高線性度設(shè)計的CMOS調(diào)幅電路技術(shù)

          作者: 時間:2010-06-08 來源:網(wǎng)絡(luò) 收藏

          引言
          本文采用±5V電源,設(shè)計出了一種以模擬乘法器為核心電路的輸出信號與控制電壓成的電路,并且實現(xiàn)了單端控制和單端輸出。它在鎖相環(huán)、自動增益控制、正弦脈寬調(diào)制(SPWM)、模擬運算等方面有著很好的使用和參考價值。

          本文引用地址:http://cafeforensic.com/article/187973.htm

          線性化壓控源耦對是本設(shè)計電路的核心單元,要保證該電路處于正常工作狀態(tài),要求線性輸入范圍較小,約100mV~200mV。設(shè)計中采用有源衰減對輸入信號衰減后再作為線性化壓控源耦對輸入信號,提高了線性輸入范圍,同時也保證了。另外,還使用比例減法運算電路的倍增功能,將兩端輸出轉(zhuǎn)化為單端輸出,在滿足輸出幅值要求時,可以進(jìn)一步提高輸出與輸入的線性關(guān)系的精度。

          模擬信號的幅值調(diào)制在模擬信號處理中應(yīng)用非常廣泛,為了實現(xiàn)的精確可控制性,

          模擬乘法器
          該模擬乘法器以線性化壓控源耦對為核心結(jié)構(gòu),實現(xiàn)了四相限模擬乘法器。電路基本結(jié)構(gòu)和工作原理如圖1所示

          假定M1~M6具有完全相同的幾何尺寸和溝通參數(shù)


          流源由Vbias電壓偏置提供飽和電流偏置。且所有的NMOS管子都處于在飽和工作區(qū),并忽略管子正常工作時的二級效應(yīng)。則有:

          式相減:

          其中vd=VGS1-VGS2






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