集成電路Cu互連線的XRD研究
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隨著芯片集成度的不斷提高，Cu已經(jīng)逐漸取代A1成為ULSI互連中的主流互連材料。Cu電沉積層的性質(zhì)取決于其結(jié)構(gòu)，在電結(jié)晶過程中，Cu鍍層由于不同晶面的生長速度不同而導(dǎo)致織構(gòu)化，表現(xiàn)出不同的性能。國內(nèi)有關(guān)Cu鍍層織構(gòu)的研究主要集中在冶金級電鍍和PCB布線方面，幾乎沒有對于集成電路Cu互連線織構(gòu)的文獻(xiàn)報道。PCB中線路的特征尺寸為幾十微米，而芯片中Cu互連的特征尺寸是1μm，因此對亞微米級厚度Cu鍍層的性能研究顯得尤為必要。
不同晶面擇優(yōu)對集成電路Cu互連線性能的影響很大。有研究結(jié)果表明，Cu(111)晶面抗電遷移性能是Cu(200)晶面的4倍，這可能是由于其致密結(jié)構(gòu)決定的。Cu鍍層晶面的擇優(yōu)情況與電沉積條件、添加劑、鍍層厚度以及襯底等因素密切相關(guān)。本文針對IC工業(yè)中主要使用的硫酸鹽電鍍Cu體系，使用X射線衍射(XRD)研究Cu鍍層織構(gòu)與電沉積條件等因素之間的關(guān)系。
1 實驗
本文中使用了兩種si片：第一種是p型(100)Si片，首先在Si片上PECVD(IConcept One 200 mmDielectric System，Novellus)淀積800 nm Si02介質(zhì)層，然后用PVD(Invoa 200，Novellus)濺射25 nm的TaN／Ta擴(kuò)散阻擋層，再用PVD濺射50 nm的Cu籽晶層，最后在籽晶Cu上電鍍Cu；第二種是n型(100)Si片，首先在Si片上用PVD濺射5 nm的TaSiN擴(kuò)散阻擋層，然后用PVD濺射5 nm的Ru層，在Ru層上再電鍍Cu。Ru是一種過渡金屬，電阻率7μΩ?cm，熔點2 300℃，是最近國際上無籽晶Cu電鍍的一個研究熱點。
電鍍液為標(biāo)準(zhǔn)VMS(virgin make―up solution)溶液，其成分為，Cu2+17．5 g／L，H2S04175 g／L，Cl一50 mg／L，加速劑2 mL／L，抑制劑8 mL／L和整平劑1．5 mL／L(添加劑均來自美國Enthone公司)。Cl一能提高鍍層光亮度和平整性，降低鍍層的內(nèi)應(yīng)力，增強(qiáng)抑制劑的吸附；加速劑通常是含S或其他官能團(tuán)的有機(jī)物，包括硫脲及其衍生物，它的作用是促進(jìn)Cu的成核，使各晶面生長速度趨于均勻；抑制劑包括聚乙二醇(PEG)、聚丙烯二醇和聚乙二醇的共聚物等，它的作用是和Cl離子一起在陰極表面形成一層連續(xù)膜以阻止Cu的沉積；整平劑通常是雜環(huán)化合物，一般含有N原子，它的作用是降低鍍層表面粗糙度。
實驗中使用方波脈沖。除了不同厚度的織構(gòu)實驗，其余實驗均通過設(shè)置不同的電鍍時間將Cu鍍層厚度較嚴(yán)格地控制在l μm。
織構(gòu)系數(shù)以晶面(hkl)的織構(gòu)系數(shù)TC(texture coefficient)來表征晶面擇優(yōu)程度
式中：I(hkl)、I0(hkl)分別表示沉積層試樣和標(biāo)準(zhǔn)試樣(hkl)晶面的衍射線強(qiáng)度；n為衍射峰個數(shù)。當(dāng)各衍射面的TC值相同時，晶面取向是無序的；如果某個(hk1)面的TC值大于平均值，則該晶面為擇優(yōu)取向，晶面的TC值越大，其擇優(yōu)程度越高。
2 結(jié)果和討論
2．1 直流電鍍
圖l為直流條件不同織構(gòu)系數(shù)隨電流密度的變化曲線，其中(a)圖為有添加劑情況，(b)圖為無添加劑情況?？梢?，添加劑對鍍層織構(gòu)的影響很明顯。沒有添加劑時， (111)晶面為單一擇優(yōu)晶面，且擇優(yōu)程度較高；有添加劑時，(200)晶面在1―4 A／dm2區(qū)間內(nèi)擇優(yōu)程度超過了(111)晶面。
2．2 脈沖電鍍
圖2為沒有添加劑時，不同脈沖條件下織構(gòu)系數(shù)的變化曲線，其中圖2(a)為固定脈沖時間和關(guān)斷時間，改變電流密度；圖2(b)為固定脈沖峰值電流和關(guān)斷時間，改變脈沖時間；圖2(c)為固定脈沖峰值電流和脈沖時間，改變關(guān)斷時間。為方便對比，把圖2(b)和圖2(c)橫坐標(biāo)用占空比
來表示。
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