色婷婷AⅤ一区二区三区|亚洲精品第一国产综合亚AV|久久精品官方网视频|日本28视频香蕉

          新聞中心

          EEPW首頁 > 嵌入式系統(tǒng) > 新品快遞 > 意法半導體推出世界上最小的采用180納米互補MOS技術的嵌入式閃存

          意法半導體推出世界上最小的采用180納米互補MOS技術的嵌入式閃存

          作者:電子設計應用 時間:2003-07-08 來源:電子設計應用 收藏
          世界知名的半導體制造商半導體(紐約股票交易所:STM)今日宣布即將開始供應世界上首次批量生產(chǎn)的采用先進的180nm互補MOS技術的嵌入式閃存。ST的180nm嵌入閃存技術創(chuàng)造了世界上最小的單元尺寸,每個閃存單元僅占硅片面積0.37um2。極小的單元尺寸大幅度降低了在芯片上制造存儲陣列所需的硅面積,從而降低了芯片的制造成本。

          這項新技術特別適合汽車應用。在汽車應用中,嵌入式閃存廣泛用于主要功能的片上系統(tǒng)解決方案(SoC),如發(fā)動機管理單元和導航及信息系統(tǒng)。這項技術支持主流核心控制器如汽車應用中被廣泛采用的ARM7、ARM9 和 ST10,以及多處理器體系結(jié)構(gòu)。內(nèi)置這些核心的演示芯片正在接受用戶在全溫度范圍的驗證。

          ST公司副總裁兼非易失性存儲器工藝開發(fā)主任Paolo Cappelletti說:“世界上第一個大批量生產(chǎn)的180nm嵌入式閃存技術和業(yè)內(nèi)最小的單元尺寸的雙重成就,使ST穩(wěn)穩(wěn)地處于嵌入閃存技術的最前沿,而且對于我們的片上系統(tǒng)產(chǎn)品組合具有重要的意義?!?BR>
          這個180nm嵌入式閃存技術完全兼容基本的180nm邏輯工藝(單元庫和核心),宏單元十分靈活,可以快速定義高達10兆位的用戶指定的存儲陣列,扇區(qū)可以劃分到最小8千字節(jié)。此外,宏單元還具有內(nèi)部自測試(BIST)特性。

          半導體是第一個推出嵌入閃存的微控制器的半導體制造商,是今天含有嵌入式閃存的片上系統(tǒng)器件的世界知名制造商之一。這些器件廣泛用于汽車、通信、消費和計算機外設等應用。



          關鍵詞: 意法

          評論


          相關推薦

          技術專區(qū)

          關閉