納米級電接觸電阻測量的新技術(shù)
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在典型測量過程中，數(shù)字源表的一個通道用于實(shí)現(xiàn)源和測量操作，另一個通道用作電流到電壓放大器，將電流數(shù)據(jù)傳輸?shù)娇刂朴嬎銠C(jī)?？刂栖浖O其靈活，允許用戶指定并測量源電流和電壓的幅值，對預(yù)定義的壓力或位移點(diǎn)進(jìn)行I-V掃描。用戶通過nanoECR軟件界面控制所有的數(shù)字源表功能，無需手動修改儀表本身上的參數(shù)。憑借該軟件的靈活性和自動化的測試?yán)?，用戶無需手動操作，能夠測試最具挑戰(zhàn)性的樣本。測試時間高度取決于用戶定義的變量，但是普通的測試序列耗時只有大約1分鐘。
Hysitron nanoECR系統(tǒng)分辨率、精度和噪聲指標(biāo)為：
壓力分辨率：1nN
壓力白噪聲：100nN
位移分辨率：0.04nm
位移白噪聲：0.2nm
電流分辨率：5pA
電流白噪聲：12pA
電壓分辨率：5µV
X-Y定位精度：10nm
硅相位變化的例子
對于研究探測過程中壓力導(dǎo)致的相位變換（參見參考文獻(xiàn)），硅是一種很好的材料實(shí)例。在探針加載/撤除過程中隨著探針壓力的增大/減小，處于移動探針下的納米變形區(qū)內(nèi)會出現(xiàn)一系列相位變換。在加載探針的過程中，Si-I（菱形立方晶體結(jié)構(gòu)）在大約11～12GPa的壓力下將轉(zhuǎn)變?yōu)镾i-II（金屬β-Sn)。在撤除探針時隨著探針/樣本接觸壓力的減小，將會進(jìn)一步出現(xiàn)從Si-II到Si-III/XII的轉(zhuǎn)變。
圖2給出了施加的壓力和測得的電流與探針位移之間的關(guān)系曲線。當(dāng)探針接觸硅表面時，壓力-位移圖是一條相對連續(xù)的曲線，而電流-位移圖在大約22nm的探針位移下出現(xiàn)不連續(xù)現(xiàn)象，表明發(fā)生了Si-I 到Si-II的相位變換。在逐漸撤除探針過程中，壓力-位移和電流-位移的測量結(jié)果中都明顯出現(xiàn)了Si-II到Si-III/XII的相位變換。這些變換出現(xiàn)得相當(dāng)突然，我們將其看成是突入（pop-in）和突出（pop-out）事件，并在圖2中標(biāo)明。
探針加載/撤除的速度也會影響材料的電氣特性。例如，在硅表面從最大負(fù)荷壓力下快速撤除探針將會形成α-Si，表現(xiàn)出完全不同的電氣特征。這類測量對于諸如硅基MEMS和NEMS器件的研究是非常關(guān)鍵的。在這類器件中，對小結(jié)構(gòu)施加的小壓力會轉(zhuǎn)變成大壓力，引起材料內(nèi)部微結(jié)構(gòu)的變化，進(jìn)而決定材料的電氣和機(jī)械特性。
本文引用地址：http://cafeforensic.com/article/195852.htm圖2. 機(jī)械（壓力-位移）和電氣（電流-位移）曲線表明在p型硅的納米變形過程中出現(xiàn)了壓力導(dǎo)致的相位變換
結(jié)束語
成功的開發(fā)和制備納米級材料和器件在很大程度上取決于能否定量地評測和控制它們的電氣和機(jī)械特性。nanoECR系統(tǒng)提供了一種直接、方便而定量的技術(shù)，使研究人員能夠測出通過傳統(tǒng)方法不可能測出的材料特性/行為。除了硅之外，這種研究工具還能夠用于研究金屬玻璃、壓電薄膜、有機(jī)LED、太陽電池和LCD中的ITO薄膜，以及各種納米固體材料，使人們能夠洞察到薄膜斷面、錯位成核、變形瞬態(tài)、接觸電阻、老化、二極管行為、隧道效應(yīng)、壓電響應(yīng)等微觀現(xiàn)象。
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